请教个问题，关于亚微米MOS器件串联来增大L的方法

江上飘来 · 发表于 2021-3-1 17:14:49

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如图所示，单管Lmax最大为240nm，四个MOS管串联，等效为L=1um。
和直接用单管设计相比，这种方法的有什么好处？
我师傅在偏置电路和运放电路中都是使用的这种结构。
这种结构中，右边的MOS管串是不是只要保证第一个MOS管工作在饱和区就可以了？

vividdream · 发表于 2021-3-1 18:57:43

jamesccp · 发表于 2021-3-1 19:26:14

你师傅没给你解释一下？

江上飘来 · 发表于 2021-3-2 09:09:28

vividdream 发表于 2021-3-1 18:57
http://bbs.eetop.cn/thread-883958-1-1.html

谢谢~

江上飘来 · 发表于 2021-3-2 09:13:43

jamesccp 发表于 2021-3-1 19:26
你师傅没给你解释一下？

没有解释

jamesccp · 发表于 2021-3-2 17:46:04

江上飘来发表于 2021-3-2 09:13
没有解释

这师傅不合格。基础的东西还是要尽可能介绍清楚，让别人少走弯路，减速成长。

jamesccp · 发表于 2021-3-4 17:26:02

jamesccp 发表于 2021-3-2 17:46
这师傅不合格。基础的东西还是要尽可能介绍清楚，让别人少走弯路，减速成长。
...

哦哦

踩到了香蕉皮 · 发表于 2023-1-28 11:19:48

这是finfet吧

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