请教个问题，关于亚微米MOS器件串联来增大L的方法

江上飘来

如图所示，单管Lmax最大为240nm，四个MOS管串联，等效为L=1um。
和直接用单管设计相比，这种方法的有什么好处？
我师傅在偏置电路和运放电路中都是使用的这种结构。
这种结构中，右边的MOS管串是不是只要保证第一个MOS管工作在饱和区就可以了？

vividdream

http://bbs.eetop.cn/thread-883958-1-1.html

jamesccp

你师傅没给你解释一下？

江上飘来

vividdream 发表于 2021-3-1 18:57
http://bbs.eetop.cn/thread-883958-1-1.html

谢谢~

江上飘来

jamesccp 发表于 2021-3-1 19:26
你师傅没给你解释一下？

没有解释

jamesccp

江上飘来 发表于 2021-3-2 09:13
没有解释

这师傅不合格。基础的东西还是要尽可能介绍清楚，让别人少走弯路，减速成长。

jamesccp

jamesccp 发表于 2021-3-2 17:46
这师傅不合格。基础的东西还是要尽可能介绍清楚，让别人少走弯路，减速成长。
...

哦哦

踩到了香蕉皮

这是finfet吧