菜鸟求助！电流镜MOS管串联分压

anthonywxz

1. 这是电流镜一侧的三个PMOS管，他们的Vgs是相等的，参数也是一样的，但是仿真的时候，电压差不多全都加到了最底下那个管子的DS端，导致上边两个管子工作在电阻区。想问一下，有什么方法能使这三个管子都正常工作嘛？
2. 这个电流镜是Bandgap电路中的一部分，现在BG电路是能够正常工作的，但是相位裕度不好。所以还想问一下，这些没在饱和区的管子（好几对电流镜都是这种情况）对电路的频响是不是也有影响？
谢谢大家~

freehero

一般来说这种电流镜偏置都是靠近电源的PMOS和靠近地的NMOS管处于饱和区，其它都是线性区。这个是不怎么影响PM的。

艾可蕾尔

相位裕度不好不是这个的事吧，看看你的电路结构？

anthonywxz

freehero 发表于 2020-8-26 11:41
一般来说这种电流镜偏置都是靠近电源的PMOS和靠近地的NMOS管处于饱和区，其它都是线性区。这个是不怎么影响 ...

确实是这个状态，那我就明白了，多谢解答~

anthonywxz

艾可蕾尔 发表于 2020-8-26 11:44
相位裕度不好不是这个的事吧，看看你的电路结构？

电路结构不太方便贴出来，相位裕度最后还是通过在OA的输出端补偿一个小电容解决的。

saw2020

freehero 发表于 2020-8-26 11:41
一般来说这种电流镜偏置都是靠近电源的PMOS和靠近地的NMOS管处于饱和区，其它都是线性区。这个是不怎么影响 ...

我记得靠近电源的PMOS和靠近地的NMOS是处于线性区的

freehero

saw2020 发表于 2020-8-26 14:16
我记得靠近电源的PMOS和靠近地的NMOS是处于线性区的

对对，靠近电源轨的管子是线性区
记反了

freehero

anthonywxz 发表于 2020-8-26 11:44
确实是这个状态，那我就明白了，多谢解答~

更正一下，我刚说反了，发了个图，一般实际用的时候就一个管子在饱和区，图中圈出来了。

victor0o0

这种结构只是用来做一个超小W/L的MOS管

苏AE86

有个文章详细介绍了这种long-channel的结构，因为单个器件的L值不能太大，大多数都是为了做一个小尺寸的管子，这个文章论坛里也有，在此贴出来吧，一起学习