基于0.18umBCD工艺高可靠步进式电机驱动芯片设计

chunk998

http://univ.ciciec.com/nd.jsp?id=343#_jcp=1
第五届集创赛——燕东微电子杯
燕东微电子杯

¨ 杯赛题目：基于0.18umBCD工艺高可靠步进式电机驱动芯片设计

¨ 参赛组别：B组

¨ 设计任务：

1. 基于0.18umBCD工艺，设计高可靠步进式电机驱动芯片。

¨ 设计指标

1. 逻辑工作电压范围：3~5V

2. 输入电源电压范围：3V~5V

3. 功率电源电压范围：35V~40V

4. 内置数据接口（IIC或SPI等均可），尽可能减少端口占用，有清零置位逻辑

5. 内置全桥功率器件（全部为NMOS管）

6. 可输出35V，±2.5A的驱动电流

7. PWM控制，步进频率500KHz以上，最高32步进。

8. 输出导通电阻：≤0.25Ω

9. 内置软启动、欠压保护、过流保护、过温保护模块；

10. 具备全片EN信号。

¨ 提交内容

撰写一份详细的设计文档，主要阐述设计作品的设计原理、创新性和实现方案的优点，概述设计作品关键技术指标的优化思路及最终结果。至少包含以下内容：

1. 电路原理分析；

2. 具体电路架构及设计参数；

3. 电路图及仿真结果；

4. 电路测试方案说明

¨ 评分标准

评分内容	得分项
1.电路结构设计（25分）	1.电路结构完整，符合设计要求（10分）
	2.器件参数设计全面（10分）
	3.设计报告内容详细充分（5分）
2.电路模块仿真（20分）	1.仿真电路完整、清晰（5分）
	2.模块仿真结果正确、合理（10分）
	3.设计报告内容详细充分（5分）
3.整体电路仿真（25分）	1.仿真电路完整清晰（5分）
	2.仿真结果满足指标要求（15分）
	3.设计报告内容详细充分（5分）
4.芯片版图（20分）	1.芯片版图完整、标识清晰（5分）
	2.DRC、LVS检查结果通过（10分）
	3.设计报告内容详细充分（5分）
5.现场答辩和演示（10分）	1.答辩和问答表现（5分） 2.现场演示效果（5分）

其他注意事项：

1、参加企业命题杯赛的作品，杯赛出题企业有权在同等条件下优先购买参加本企业杯赛及单项奖获奖团队作品的知识产权。

2、大赛组委会对参赛作品的提交材料拥有使用权和展示权

chunk998

这个 题目 好做不 ？

0.18 bcd 的 库 论坛有吗？

http://bbs.eetop.cn/forum.php?mo ... %3D&ck=a7b79f85
这个可以吗？

dcircuit

kankan

BlackAnalog

谢谢

zimage

这个题目都不知道应该怎样评价才对啊

BlackAnalog

zimage 发表于 2021-4-15 20:10
这个题目都不知道应该怎样评价才对啊

为何这么说

子车天纵

从头做很难，这电路规模很大的。我觉得这题目就是骗别人做好的项目的。

neonato

完全来骗方案的

floatice

have a look

peterlin2010

1. 逻辑工作电压范围：3~5V => IO cell 5v -> 1.8v

2. 输入电源电压范围：3V~5V

3. 功率电源电压范围：35V~40V  =>LDMOS use 60v

4. 内置数据接口（IIC或SPI等均可），尽可能减少端口占用，有清零置位逻辑

=> IIC  SPI  

5. 内置全桥功率器件（全部为NMOS管）=> 3 phase BLDC可以用 fly cap charge Pump 2pin . 或是 schottky diode boostrap 但3相3PIN

6. 可输出35V，±2.5A的驱动电流  => 2.5A LDMOS 会不小   , 而且内建RDS_on 做OCP 保护

7. PWM控制，步进频率500KHz以上，最高32步进。=>  MCU CORE

8. 输出导通电阻：≤0.25Ω  => 250m Ohm  因为 bonding wire ~50~100m 因为电流到2.5A   

   须要  5~6 PAD . Ron = mos rds_on + bond wire 并联

=> 找做USB POWER SWITCH 那类看就知道 2.5A  要 mos 的DRAIN  SOURCE 各5 PAD

9. 内置软启动、欠压保护、过流保护、过温保护模块；=> soft start , UVP , OCP, OTP 这POWER IC 都会有做拉

10. 具备全片EN信号。

3 相都内建 ldmos 6颗不太合理 . 比较好做 , 是 control +  pre-driver BCD + 6 独立 MOS  MCM , 须要开lead frame  用QFN _有开 散热

      

3相 6 LDMOS 全内建会很大颗 ..