讨论一下，为什么high poly电阻是负温度系数？

xiaowanzi88

回复 40# hszgl


    讨论问题的前提需要大家有一个和谐的氛围，如果都是那么冲，那么强硬的态度，我建议转向央视体育的拳击栏目，在那里你可以找到一定的快感。

hszgl

回复 41# xiaowanzi88


    谢谢前辈的建议，我以后会努力尽量保持和谐氛围。

pingdandan

多谢分享

i0977454522

我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间的离散程度
主要是因为
（1）同一个wafer上不同位置的die
（2）同一批次中不同wafer上die
（3）不同批次中的die
工艺稳定会影响bandgap的初始精度
这方面主要关系到器件参数
（1）电阻绝对值的精度 约+/- 20%
（2）pn结电压等
这些其实受工艺决定，比如doping density ,the depth of difussion,
doping profile 等

fuyibin

   

我主要针对的是工艺偏差，而失调是芯片内部不对称不匹配引起
我指的工艺偏差是指大批量产时，芯片于芯片间 ...
i0977454522 发表于 2014-12-5 11:08

                               
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怎么这么熟悉，感觉像是我说的一样

狱火虫

电阻率地变化感觉和隧穿没啥关系

hhxss

仿真发现，t180n的rnhpoly电阻是负温度系数，但t40n的rnhpoly温度系数先负后正，凸点是60摄氏度。情况复杂

503860720

Halsone

看看