讨论一下，为什么high poly电阻是负温度系数？

huangdo7539 · 发表于 2010-3-17 14:43:05

poly是多晶，晶界间存在势垒

sunrise_caoxu · 发表于 2010-3-17 15:31:32

希望高手指导，不要灌水哈，呵呵

Lincoln.Sun · 发表于 2010-3-17 17:28:55

据我手头的foundry model
只有P+ poly unsilicided电阻是负温度系数，N+ poly unsilicided电阻和其他电阻都是正温度系数
确实很奇怪，希望高手指点

math123 · 发表于 2013-5-12 20:26:09

本帖最后由 math123 于 2013-5-12 21:16 编辑

低阻poly重掺杂由于隧穿效应势垒可忽略所以和nplus pplus resistor一样随着T的升高载流子散射加剧正温度系数
高阻poly轻掺杂势垒不能忽略温度越高载流子越容易穿过势垒宏观上得出负温度系数的结论

一开始觉得4楼的说法不错，但后来仔细想多几遍，这适用于半导体单晶的情况。

如21楼所说，poly是多晶，晶界间存在势垒。那载流子是如何从一个晶体传输到另一个晶体的呢？

还是觉得你的解释更合理，在网上找到了一篇解释相同的论文

fuyibin · 发表于 2013-5-12 20:48:41

啥年头的帖子，真能挖坟

春暖花开39066 · 发表于 2014-1-12 16:47:06

我也正要研究隧穿结，同样不懂，想得到帮助~~~

vzhenyi · 发表于 2014-1-12 19:34:02

MARK马克

semico_ljj · 发表于 2014-1-12 19:51:28

nicer

hszgl · 发表于 2014-1-12 20:55:16

还是回去翻书吧，这些讨论够不靠谱的。。。

fuyibin · 发表于 2014-1-12 21:02:20

还是回去翻书吧，这些讨论够不靠谱的。。。
hszgl 发表于 2014-1-12 20:55

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那你说个靠谱的理由，给大家讲解一下

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