讨论一下，为什么high poly电阻是负温度系数？

hszgl

回复 30# fuyibin


    理由就是书上都写好了。

hszgl

据我手头的foundry model
只有P+ poly unsilicided电阻是负温度系数，N+ poly unsilicided电阻和其他电阻都 ...
Lincoln.Sun 发表于 2010-3-17 17:28

                               
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    形成高阻有两种方式，一种是什么都不掺，极限是本征电阻率。还有一种是掺深能级杂质，形成复合中心，降低载流子迁移率，可以达到比本征电阻率更低的电阻率。
    但这两种方式都不太可能形成你说的除了P+以外其他都是正温度系数的情况。如果可以，不妨把model doc show一下。

fuyibin

形成高阻有两种方式，一种是什么都不掺，极限是本征电阻率。还有一种是掺深能级杂质，形成复合中 ...
hszgl 发表于 2014-1-12 21:14

                               
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这就是你所谓的书上写的？连本征半导体都扛出来了。那我问你几个问题。1.一般大家工艺中用的高阻poly也就1kohm/sq or 2kohm/sq，本征半导体电阻率是多少？2.深能级是掺重金属杂质，现在标准cmos工艺能做么，还是对其他器件都是污染，以前bipolar有背面蒸金的。3.到底什么是半导体，掺杂浓度对其导电特性是什么样的

hszgl

回复 33# fuyibin


    这个不是回复你的说。
    这是举两个例子，虽然有点奇葩，但是最终说了不是形成“除了P+电阻以外其他都是正的温度系数”的原因。

说不靠谱的，主要指的是用势垒理论讨论多晶硅电阻的温度特性。
    多晶硅有很多晶界，是存在势垒没有错。但势垒是有一定高度的，当载流子能量已经高于势垒的时候，就和隧穿没什么关系了。而且晶界上的悬挂键，从固体物理学的角度来说，更多的是缺陷，可以被认为是复合中心，影响的是载流子的迁移率。根据载流子迁移率与温度的关系来讨论就可以了，讨论势垒厚度和隧穿能量实在是。。。不靠谱。。。

hszgl

回复 33# fuyibin


    至于基本的，半导体电阻和温度的关系，翻个书什么的足够靠谱了。
    至于“什么是半导体，掺杂什么用”之类的。请问你是在表达对我的鄙视么？

fuyibin

回复  fuyibin


    至于基本的，半导体电阻和温度的关系，翻个书什么的足够靠谱了。
    至于“什么 ...
hszgl 发表于 2014-1-13 00:02

                               
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你反复提到了要别人去翻书，但你怎么知道别人没有翻过书呢
如果你有很明确的结论，那你可以show一下你的knowledge，甚至告诉别人xx书的xx页
这个帖子本身就是很老的帖子，也不是像"怎么设计个opamp”这么空洞无物的帖子
甚至有人还贴了写论文作为reference来讨论这个问题， 如果书上有明确答案，大家需要费这个劲么
还有一点就是翻书说明知识还在书上，而不是自己的knowledge，
为什么不把书上的知识变成自己的知识呢，按照自己的理解可以正确的表述书上的知识才是真的懂
至于最后一个问题什么是半导体也是一个个人理解的问题
掺杂可以大幅度改变半导体导电特性就是半导体基本性质，那么高阻poly会用本征半导体做么
只要掺杂稍微改变，电阻率就会大幅度变化，是不可控的东西
做轻掺杂控制精确度还是有点困难的，就比如说剂量10e13，也许一条电阻上掺100个磷原子肯定不好掌握
但是掺10e16那误差就会容易控制

hszgl

回复 36# fuyibin


    翻书的意见当然不是提给你这位大牛的。是给最近回复的这位明显还没把书本看到位的孩子，也许我不该偷懒，应该点下他右下角的“回复”。
    对于什么是半导体这种概念问题，抄书就太没意思了。
    我说说我的理解，粗略的讲，半导体是可以通过掺杂等人工手段改变其电阻率、导电类型等特性的一类材料。狭义的半导体可以界定为——能带存在禁带和允带，禁带宽度大于0eV小于10eV，且本征费米能级在禁带内的材料；广义的半导体概念可以推广至半金属、拓扑绝缘体，以及二维材料如石墨烯等等。
    水平有限，望指正。

xiaowanzi88

回复 37# hszgl


    年轻人，谦虚一点，你能学到更多东西。到哪都看得见你和别人“争来争去”的回复。回想自己设计的一个bandgap,流片测试结果如此之差，你应该反省一下自己的态度和学习习惯了。

hszgl

回复 38# xiaowanzi88


    这只是讨论问题啊，年轻么说话确实有点冲。在这个贴子里也没有争什么吧？
    话说另一个帖子里，我们对于na级别电流产生设备的分歧，可能是你不太了解仪表的原理造成的。
    另外Bandgap的设计还要多谢你指点错误呢。

hszgl

回复 38# xiaowanzi88


    前辈教训的是。必须承认，我设计的LDO确实很糟。这不就来论坛上取经来了么？
    大家都曾年轻过，你刚走出校门的时候是不是也经历过热血方刚却又磕磕碰碰的时候？无论是讨论或是争论，你是否也曾和你的同事或者前辈们起过冲突？大家都或多或少的都有点自负心理，年轻的时候看谁水平都不够，年纪大点了又开始觉得自己有经验看年轻人不顺眼，人么，大多是这么个过程过来的。
    其实冲突的形势并不重要，关键是冲突的过程中，要能学习到东西。虽然我经常和人家争论的热火朝天，甚至有骂娘的趋势，但我也一直在争吵学习和分享知识。就像在10na方案的贴子里，我一直在把自己对仪器仪表的了解和楼主分享，力图为他解决问题。我想前辈也已经在私底下给那位楼主一个方案了吧。
    不过我也想给前辈一个建议，认为我提供的观点或者信息有错误，不妨直白的说明，点明问题并给出意见。我比较喜欢这种直来直去的沟通方式，这是我们这代人的特色，并且我认为这样比较有效率。根据我在论坛上的观察，貌似前辈不太愿意采用这样的方式。不知道前辈能否听得进这个建议？