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[求助] 射频开关,为什么增大W会减小插入损耗?

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发表于 2021-1-4 17:01:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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射频开关,为什么增大W会增大插入损耗?
Ron的公式中不是与W成反比吗?
发表于 2021-1-4 18:37:48 | 显示全部楼层
讚讚讚讚讚讚讚讚讚讚
发表于 2021-1-5 09:19:46 | 显示全部楼层
capacitor?
 楼主| 发表于 2021-1-5 13:56:53 | 显示全部楼层


你说Coff吗?
发表于 2021-1-5 17:23:19 | 显示全部楼层
不能用 DC 的观点来看。
 楼主| 发表于 2021-1-7 18:48:18 | 显示全部楼层


jamesccp 发表于 2021-1-5 17:23
不能用 DC 的观点来看。


可以说的详细一点吗?
发表于 2021-1-10 10:41:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 kissshenzhu 于 2021-1-10 10:58 编辑

所谓的增大W  IL会减小是因为 W增大后Ron减小了,这只适合于低频,比如2GHz以内,
但是增大W的同时 Cap(或者说对地Coff 【这种说法不够严谨,词能达意就行】)也随之变大了,所以高频IL会恶化。
所以这是个跷跷板,需要折中。
LZ 哪家公司做switch:lol
发表于 2021-4-16 13:39:02 | 显示全部楼层
你是做射频开关吗
发表于 2021-4-16 14:00:29 | 显示全部楼层
coff增加了,所以漏信号到sub了,cdb与csb,如果是多路,其他off path也会漏信号,而且射频开关由于电容太大,匹配变差,S11会变差,导致信号反射了,必然会导致S21变差。多看看书吧,基础问题就不要问了
 楼主| 发表于 2021-6-17 15:09:43 | 显示全部楼层


jiaoda 发表于 2021-4-16 14:00
coff增加了,所以漏信号到sub了,cdb与csb,如果是多路,其他off path也会漏信号,而且射频开关由于电容太 ...


好嘞3q
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