载流子迁移率和温度具体什么关系

shiying0202

pmos（多子空穴）和nmos（多子电子），二者的载流子迁移率随温度的变化怎么变化呢？
老师说，温度降低，载流子迁移率降低，但是我仿真显示会升高，在网上查资料没有具体的，有没有好心人给解释下，谢谢谢谢！

saw2020

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.
晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三次方关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的二分之三次方关系）.
对于一般掺杂的半导体,迁移率在不很高的温度下即开始下降,这是由于晶格振动散射较早起作用的缘故；但是对于重掺杂半导体,迁移率将要到较高的温度时,晶格振动散射才开始起作用,因此也要在较高的温度时迁移率才开始下降,并因此重掺杂半导体迁移率的温度稳定性较好（但重掺杂半导体的迁移率绝对值较低）（copy from eetop）

xianwu_hs

可以去看刘恩科的半导体物理，书上介绍了的

cabal2012

同推荐3楼提到的刘恩科的半导体物理

acging

迁移率是怎么仿出来的？

shiying0202

xianwu_hs 发表于 2020-10-22 13:36
可以去看刘恩科的半导体物理，书上介绍了的

好的，谢谢啦！

shiying0202

acging 发表于 2020-10-22 14:06
迁移率是怎么仿出来的？

我是根据电流不变，id=u*CoxW/L*Vdsat平方，观察到温度变化时，过驱动电压变化，间接得出u的变化。

acging

shiying0202 发表于 2020-10-22 15:35
我是根据电流不变，id=u*CoxW/L*Vdsat平方，观察到温度变化时，过驱动电压变化，间接得出u的变化。
...

你的model计算ids公式可不是这样，复杂的多，这样反推是不准的。

shiying0202

acging 发表于 2020-10-22 16:22
你的model计算ids公式可不是这样，复杂的多，这样反推是不准的。

这样粗略估算也不行吗

hx123

半导体物理与器件