关于用sentaurus仿真SiC-JBS二极管的问题

王者拜仁-碳化硅 · 发表于 2020-10-15 21:03:51

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大佬们好，最近在仿真SiC-JBS二极管的时候，当我使用sdevice中关于肖特基接触的命令时，当我把Schottky WorkFunction改为5.35时仿真击穿特性可以出来，但我改为Schottky WorkFunction=4.33时就出现不收敛的问题，请问这是什么原因导致的。Electrode {
{ Name="Anode" Voltage= 0.0 Resist= 1e13 Schottky WorkFunction= 5.35 }

{ Name="Cathode" Voltage= 0.0 }
}

王者拜仁-碳化硅 · 发表于 2020-10-19 09:16:01

自顶，别沉啊

晓春记忆 · 发表于 2021-1-30 10:28:20

楼主解决了吗？我在仿真SiC SBD的终端结构，遇到了相同的问题

[原创] 关于用sentaurus仿真SiC-JBS二极管的问题

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