在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4265|回复: 7

[求助] DNW

[复制链接]
发表于 2020-9-11 11:48:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一般来说,pmos做在nwell可以实现隔离,nmos可以做在deep nwell里面实现衬底与衬底的隔离,那么可以把pmos做在deep nwell里面吗?一般会这样做吗?
发表于 2020-9-11 11:52:50 | 显示全部楼层
PMOS做在nwell就够用了,不需要DNW了吧?
发表于 2020-9-11 13:03:22 来自手机 | 显示全部楼层
看你自己的需求了,可以用dnw也可以不用,做在dnw里的pmos管子对psub抗干扰能力比没有dnw的pmos更好,但是面积会大一些,距离周围的器件的规则应该也会大,这个就要自己权衡利弊了!
 楼主| 发表于 2020-9-11 15:32:14 | 显示全部楼层


843071455 发表于 2020-9-11 13:03
看你自己的需求了,可以用dnw也可以不用,做在dnw里的pmos管子对psub抗干扰能力比没有dnw的pmos更好,但是 ...


好的,谢谢啦
发表于 2020-9-11 16:05:21 | 显示全部楼层
可以的
发表于 2020-12-25 18:06:07 | 显示全部楼层
看工艺
发表于 2020-12-25 19:07:16 | 显示全部楼层
可以啊,毕竟还有DNW 寄生的PMOS 呢
发表于 2020-12-28 17:05:22 | 显示全部楼层
yes, it can, but depend on process
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-24 13:38 , Processed in 0.022751 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表