[求助] DNW

刘宇512 · 发表于 2020-9-11 11:48:43

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一般来说，pmos做在nwell可以实现隔离，nmos可以做在deep nwell里面实现衬底与衬底的隔离，那么可以把pmos做在deep nwell里面吗？一般会这样做吗？

远方伊舟 · 发表于 2020-9-11 11:52:50

PMOS做在nwell就够用了，不需要DNW了吧？

843071455 · 发表于 2020-9-11 13:03:22

看你自己的需求了，可以用dnw也可以不用，做在dnw里的pmos管子对psub抗干扰能力比没有dnw的pmos更好，但是面积会大一些，距离周围的器件的规则应该也会大，这个就要自己权衡利弊了！

刘宇512 · 发表于 2020-9-11 15:32:14

843071455 发表于 2020-9-11 13:03
看你自己的需求了，可以用dnw也可以不用，做在dnw里的pmos管子对psub抗干扰能力比没有dnw的pmos更好，但是 ...

好的，谢谢啦

IC从业者 · 发表于 2020-9-11 16:05:21

可以的

雨山1998 · 发表于 2020-12-25 18:06:07

看工艺

xiwangalala1 · 发表于 2020-12-25 19:07:16

可以啊，毕竟还有DNW 寄生的PMOS 呢

jeffej · 发表于 2020-12-28 17:05:22

yes, it can, but depend on process

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