inv的翻转直流点的疑问？

iamtorres9 · 发表于 2020-9-10 09:38:04

silverpuma 发表于 2020-9-10 09:24
嗯，这个解释应该是对的。那比如说我模拟的反相器的尺寸按照什么去设计呢，如果没有延迟的要求，就一个逻 ...

别想看反相器设计，需要考虑的东西其实挺多的。比如延迟时间，翻转点，工艺偏差，还有驱动能力等等，我没有说完。如果不考虑太多要求，按照最小尺寸的L去设计W就可以了。
如果频率过高，还需要考虑极限频率的问题，以及功耗方面的问题，还有电源的驱动能力，很多方面。

天堂梦 · 发表于 2020-9-10 20:33:35

silverpuma 发表于 2020-9-9 08:17
我调整L，Wp/Wn的比值完全不一样，L在这个里面影响了什么？沟道调制效应？还有vth？或者还有其他参数？
...

我们一个Id~VGS公式是一阶的，有助于理解而已，高阶的效应并没有体现。
仿真用的模型是FAB根据实际测试拟合出来的，跟计算值有差距很正常。
粗略计算的话，你可以去查仿真文件里的空穴及电子的迁移率以及VTH粗略计算一下，误差应该不会太大。

IC_Shawn · 发表于 2020-9-14 20:40:06

学习学习

amplifier_bias · 发表于 2021-2-10 14:57:59

acocacol · 发表于 2021-2-13 13:38:55

没太明白遇到了什么问题。。

juliansky · 发表于 2021-2-17 14:55:35

是跑阈值翻转点吗

[求助] inv的翻转直流点的疑问？