inv的翻转直流点的疑问？

silverpuma · 发表于 2020-9-8 14:47:48

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用了某厂018um的工艺，跑了下反相器的直流特性，在1/2 vdd的输入条件下，输出要等于1/2 vdd，不同的L下面P管和N管的W比例相差很大，但是vth差别不大，这个是什么原因？

neonato · 发表于 2020-9-8 15:45:22

pmos的迁移率远低于nmos

lidequan · 发表于 2020-9-8 16:50:08

你想说啥

天堂梦 · 发表于 2020-9-8 20:33:41

电子迁移率比空穴迁移率高，至少是两倍关系，跟工艺有关。
N管电流等于P管电流，根据电流特性公式，迁移率越小，则宽长比越大

silverpuma · 发表于 2020-9-9 08:15:34

lidequan 发表于 2020-9-8 16:50
你想说啥

四种情况，L取不同的值，但是保证N和P的L相同，但是Wp/Wn的比值差距很大，这个是什么原因？

silverpuma · 发表于 2020-9-9 08:17:33

天堂梦发表于 2020-9-8 20:33
电子迁移率比空穴迁移率高，至少是两倍关系，跟工艺有关。
N管电流等于P管电流，根据电流特性公式，迁移率 ...

我调整L，Wp/Wn的比值完全不一样，L在这个里面影响了什么？沟道调制效应？还有vth？或者还有其他参数？

acging · 发表于 2020-9-9 08:55:08

你相当于开环做了个放大器，一般是不会这么用的，肯定要加反馈去稳定输出点。
model比教科书的二阶公式会复杂很多，比如vth会和L是相关的。

iamtorres9 · 发表于 2020-9-9 09:10:22

这个问题我有过研究，针对于模拟的管子！！！！！！！
L越短沟道调制效应会严重是一方面，有些工艺的模型里，对长沟道管子的沟道调制效应建模不好，所以有时候需要将长沟道的管子分成两个串联处理。
还有就是在小L的时候，制作的管子的过程中会存在比较大的偏差，因为即使是相等的delta_L，但是在小的L下，影响比较严重。所以会出现略微提高一点点L会对性能有一个明显的提升。

夜冷了 · 发表于 2020-9-9 22:09:58

这个没有意义，毕竟有tt /ss /ff /sf /fs corner。。。
惊不惊喜，意不意外

silverpuma · 发表于 2020-9-10 09:24:38

iamtorres9 发表于 2020-9-9 09:10
这个问题我有过研究，针对于模拟的管子！！！！！！！
L越短沟道调制效应会严重是一方面，有些工艺的模型里 ...

嗯，这个解释应该是对的。那比如说我模拟的反相器的尺寸按照什么去设计呢，如果没有延迟的要求，就一个逻辑门，就按照最小L，翻转点放到vdd/2去设置Wp/Wn的值就可以啦？

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