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楼主: zhxz

[求助] 关于共源共栅电流镜的问题

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发表于 2022-7-30 23:24:33 来自手机 | 显示全部楼层
首先,书上讲的“相等”都是非常理想,事实上ID是会变化的,VP增加,VY肯定也增加。只是VY增加的非常非常小,近似说VX=VY。当Vp点电压升高,这个时候Vds是增加 根据饱和电流公式,ID是增加的,但是下面的管子要想电流增加只能抬高Vy点,但抬高VY点,会使的上面管子的VOD减小,由于VOD对ID影响是平方倍的,Vy只需要增加一点点,ID就可以减小。这个时候,两个管子的电流就平衡了。此时VP是升高的。VY增加一点点,电流增加一点点。
发表于 2022-8-3 18:01:07 | 显示全部楼层


Brant_liu 发表于 2020-12-21 15:15
这里想了很久没明白,为什么(w/l)3比(w/l)2等于(w/l)0比(w/l)1,就可以得到Vgs0=Vgs3?
...


我也不明白.有一些想法,网友们可以看看对不对。Vd3是和负载相关的,而正常工作状态下,Vd0是Iref和M0与M1管共同确定的。假设拉扎维课本中的都成立,Vds1等于Vds2、Vgs0等于Vgs3,在负载变化情况下,Vds0等于Vgs0等于Vgs3显然不一定等于Vds3,所以书本肯定是建立在近似上的,那么近似和真实情况中间有多大区别,应该如何设计,我再想想。
发表于 2022-8-17 13:27:00 | 显示全部楼层
书中的推导感觉都是基于M3和M0不考虑沟道长度调制效应,M1和M2考虑沟道长度调制效应来分析的,即使考虑M3和M0的沟道长度调制效应,书的意思应该是想说cascode的屏蔽效应会使X,Y的电压变化减小,我还有个问题是为什么说即使存在体效应,该电路也能精确的复制电流?
发表于 2023-4-24 15:47:37 | 显示全部楼层


感觉确实是只考虑了M1、M2的沟调效应,没有考虑M0、M3的
发表于 2023-9-13 20:53:03 | 显示全部楼层


zhxz 发表于 2020-9-4 11:51
对Vy基本没有变化,这是共源共栅的作用。..又回到初始的问题:如何满足Vgs0=Vgs3,如果不考虑M0和M3的沟 ...


我现在也想到了这个问题
发表于 2024-4-28 11:05:40 | 显示全部楼层
本帖最后由 模拟ic设计小白 于 2024-4-28 11:14 编辑


Brant_liu 发表于 2020-12-21 15:15
这里想了很久没明白,为什么(w/l)3比(w/l)2等于(w/l)0比(w/l)1,就可以得到Vgs0=Vgs3?
...


最近我也在学习这个地方,一开始也对这一点搞不清楚,以下是我的理解:


M1和M2的尺寸比确定了电流比,M0和M3只是作为辅助管来调节

VY=VX   →   有VY=  Vb-Vgs3=Vds1(=Vgs1)  =VX,所以Vb=Vgs3+Vgs1,
把Vb和M0栅极连在一起,那么Vb=Vgs0+Vgs1,所以需要Vgs3=Vgs1;
.....重点:以上都是根据ID1/ID2=n已经确定了来倒推出来的,也就是偏置其实是根据偏置电流来确定电压和尺寸


而在ID1和ID2都确定了的情况下(W/L)2比(W/L)1比值=ID2/ID1=n
同时别忘了ID1=ID0,ID2=ID3,ID3/ID0=ID2/ID1,M3和M0管子都处于饱和区
那就有(W/L)3比(W/L)0=(W/L)2比(W/L)1了,也就是有(W/L)3比(W/L)2=(W/L)0比(W/L)1

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