capless LDO的数字负载电容的评估？

503860720 · 发表于 2021-12-27 14:50:34

:):):)

503860720 · 发表于 2021-12-27 14:51:39

感谢，看下来颇有启发

503860720 · 发表于 2022-1-4 14:06:35

qnq · 发表于 2022-5-24 19:44:14

thanks

thomas66 · 发表于 2022-9-28 16:00:24

sea11038 发表于 2020-9-3 17:32
很久不做LDO了，这篇参考文献里的论文可以都找找看看吧

请问大侠：我做了一个NMOS输出管的无电容LDO，反向，从电路上看不到补偿电容，不带外部电容相位裕度七八十，很好，但带外部电容100nF,相位裕度工艺角最坏只有12。瞬态仿真也没有问题，不知有没有问题？

sea11038 · 发表于 2022-9-29 09:38:38

thomas66 发表于 2022-9-28 16:00
请问大侠：我做了一个NMOS输出管的无电容LDO，反向，从电路上看不到补偿电容，不带外部电容相位裕度七八 ...

NMOSs输出的LDO，输出电阻ro相对很小(NMOS源跟随器，约1/(gm+gmb))，不带负载电容或负载电容CL很小时(假设10pF量级)，输出极点1/(2Pi*ro*CL)在高频，低频主极点在内部，故有可能不用补偿也能稳定；但是带了100nF电容时，输出极点频率有差不多4个量级的下降，往主极点方向靠近相位裕度减小，此时不补偿可能会有问题。

thomas66 · 发表于 2022-10-10 11:57:39

本帖最后由 thomas66 于 2022-10-10 11:59 编辑

sea11038 发表于 2022-9-29 09:38
NMOSs输出的LDO，输出电阻ro相对很小(NMOS源跟随器，约1/(gm+gmb))，不带负载电容或负载电容CL很小时(假 ...

请问在哪里补偿？是不是只能在外部补偿，因为我们是做无电容LDO，无电容情况很好了，应该内部不需要补偿吧。

sea11038 · 发表于 2022-10-11 09:20:02

thomas66 发表于 2022-10-10 11:57
请问在哪里补偿？是不是只能在外部补偿，因为我们是做无电容LDO，无电容情况很好了，应该内部不需要补偿吧 ...

既然做无电容LDO，不太清楚之前为何还要外加100nF电容去仿真呢？当然，适当加些合理的负载电容比如十几、几十pF甚至百pF量级的来验证可靠性不是不行，具体还要评估实际应用时的负载情况，但100nF负载电容对于无电容LDO应用略有些大了。
无电容结构的话需要注意空载或轻载时的稳定性，如果所有仿真条件下验证都OK的话，不补偿也是可以的，如果裕度不够可能还是需要补偿的。

thomas66 · 发表于 2022-10-14 17:26:57

sea11038 发表于 2022-10-11 09:20
既然做无电容LDO，不太清楚之前为何还要外加100nF电容去仿真呢？当然，适当加些合理的负载电容比如十几、 ...

谢谢你的回答。我们做反向的，数据手册上的测试数据都是在加100nF进行的，也不清楚为什么加100nF？是不是做最坏情况测试？

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