DNW两个不同地会不会有风险

不许来我家干饭 · 发表于 2021-3-18 17:23:09

我用SMIC .18工艺画的版图有数字地和模拟地，会有软连接问题，用SUBD层次可以跑过LVS，大佬们知道这样做危险吗，需不需要在加什么东西，现在还没用到DNW层次，用的是SN，SP两种环做的保护

不一样1 · 发表于 2021-4-9 10:30:38

不会有危险，这个操作很普遍

cadencer · 发表于 2021-4-12 17:25:20

843071455 发表于 2020-8-17 13:00
你说的一个DNW里面只能有一个地，这种说法也不正确，有很多工艺都支持一个DNW可以接不同的地，楼主验证通 ...

这个说的对。

ysllla · 发表于 2021-4-13 19:41:26

ysllla 发表于 2021-2-25 11:00
DNW里面是可以存在多个不同电位的地，但不同的地之间要加nw隔离。

我说的地用nw隔离是指在用nwell（N型）把不同的地（p型）包裹起来，形成pn节，防止软连接。

西瓜慧子 · 发表于 2021-5-6 11:07:56

不许来我家干饭发表于 2021-3-18 17:23
我用SMIC .18工艺画的版图有数字地和模拟地，会有软连接问题，用SUBD层次可以跑过LVS，大佬们知道这样做危 ...

之前这样操作过，流片之后发现串扰比较大。以后的项目，所有的模块都放到了dnw里面。这样互相之间的干扰小一些。
楼主的问题应该一些工艺会报软连接，同一个dnw中不一样的pw电位像前几楼说的大佬一样。用nw包一下。
这样理解其实比较抽象。建议画剖面图来分析

不许来我家干饭 · 发表于 2021-5-6 14:03:48

西瓜慧子发表于 2021-5-6 11:07
之前这样操作过，流片之后发现串扰比较大。以后的项目，所有的模块都放到了dnw里面。这样互相之间的干扰 ...

现在我们把两个地接一起了，因为芯片很小

cherry_li · 发表于 2021-5-7 10:38:51

同一个DNW中可以放置许多不同电位的PW（一般称做RW），只要确保不会有PN结正向一般就没问题了。不过为了保证两个不同电位的PW的隔离度，两个PW之间的NW隔离宽度最好大于1um以上。如下图中，RW1与RW2可以是不同电位，但是同一个DNW上所有NW是同一电位，DNW外的PW1与PW2通过大衬底相连，是同一电位

Xiongxingshiwo · 发表于 2021-6-18 18:02:51

学习学习

xy20190211 · 发表于 2021-6-21 16:19:08

NMOS不是在PWELL里的吗在里面应该没有啥影响吧

zhizhuozxd · 发表于 2021-10-13 14:54:41

cherry_li 发表于 2021-5-7 10:38
同一个DNW中可以放置许多不同电位的PW（一般称做RW），只要确保不会有PN结正向一般就没问题了。不过为了保 ...

如果不用nwell隔开的话会发生什么？

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