DNW两个不同地会不会有风险

derek623606 · 发表于 2020-8-14 17:40:57

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同一个DNW里面两个nmos接不同地，验证是可以过的。但是这样会不会有什么风险？！

sunsky2010 · 发表于 2020-8-14 20:03:43

只要DNWELL上的Nwell环隔开两个衬底区域就没有问题。

843071455 · 发表于 2020-8-14 21:16:15

楼上回答的不算全，还必须确保n阱电位比这两个不同的地电位要高，不然可能也会有问题！

石头遇见雪 · 发表于 2020-8-17 10:41:06

楼上回答的都不全面，DNW本身是用来隔离PSUB用来区分不同的地，防止衬底串扰。同一个DNW肼里面只能有一个地电位。如果只是用的是DNW double guardring 来隔离不同BLCOK 直接的干扰，那里面可以存在不同的的地，只要保证DNW 电位接正确就行了。DNW电位一定是接最高的那个电位。

843071455 · 发表于 2020-8-17 12:05:14

你说的不对，你没看明查他的问题就说楼上回答的都不全面？他说的明显是一个DNW里面存在两个不同的PW，问这样做有没有风险！不然楼主就不会说同一个DNW里不同的地可以过lvs了，你说的DNW一定要接最高电位这个也不一定，只要DNW是隔离管子部分的最高电位就可以，不一定是电路里的最高电位，只要是相对高的电位应该就可以了。