求助！后仿提参的问题

diffsland

最近在使用40nm工艺设计模拟电路，提参后仿后发现差异很大，就做了个单管进行验证，发现前仿和提参后仿电流差了10%以上，是不是提参文件哪里设置不对，求大佬指点，附上了单管的版图

hitzhabc

这么简单的一个单管，按理说寄生参数都能数得过来。所以哪里影响结果应该能分析得清楚。相对来说，应该更相信后仿的结果，所以要找到影响结果的因素。实际上寄生参数的提取结果就是一个理想model加若干理想电阻电容。理想model就是前仿的电路，影响结果的就是寄生的电阻和电容。寄生电阻不影响Gate端的电压，那就只能是源漏寄生电阻影响电流或者是bulk寄生的参数影响vth了。实际上你给一个大的VGS，也就是产生个大的电流，那么影响应该可以忽略，要是电流太小，估计影响就大了。以上都是猜测，试试看？

wjx197733

楼主提供的信息太少！
1.楼主的仿真电路是什么样子的？从版图猜测，管子的栅极接输入信号，漏极输出，源极接地。问题是负载呢？管子没有负载吗？
2.楼主后仿时用calibre吗？后仿提取的网表还是calibre view？

diffsland

就是一个单管 ，没有负载，栅极接dc，漏极接vdd，源极和衬底接地，仿真的时候只仿dc，看单管的电流
后仿是用calibre提参的，网表和calibre view我都试过了，结果都是一样

diffsland

wjx197733 发表于 2020-6-3 17:26
楼主提供的信息太少！
1.楼主的仿真电路是什么样子的？从版图猜测，管子的栅极接输入信号，漏极输出，源极 ...

在这里先谢过大佬！
仿真电路很简单就是一个单管nmos，只仿dc，g接dc电平，d接vdd，s和b都接gnd，只看管子上流过的电流。
提参用的是calibre，calibre view和网表我都试过，结果没有变化。drc和lvs都没问题。

是我这个版图画的不合理么？？？

jiaoda

猜测是finger与Multiplier区别，请区分下再仿真

andyfan

嗯，后仿真结果肯定更准确。
这个和版图画法有关，但未必是你想的画错了。如果你第一次接触40的话，建议你理解下LOD/WPE/PSE/OSE这些效应，如果用的T的模型仿真，建议仿真的时候，把presim部分选择打开，这样前后仿真才不至于差太多。

感觉你说的情况，更多是LOD造成的，因为你MOS管的poly很整齐，而且40的时候PSE和OSE本身影响也不是很大，对小尺寸的影响大些，你这个管子很大。前后仿真差异更多应该是LOD效应造成的。

diffsland

andyfan 发表于 2020-6-3 22:08
嗯，后仿真结果肯定更准确。
这个和版图画法有关，但未必是你想的画错了。如果你第一次接触40的话，建议你 ...

谢谢大佬的指点~~~
其实我拿rf的管子也做过同样的验证，rf的管子偏差就非常小，只有0.3%。同样叉指的普通管和rf管，在提参的时候选择输出网表，也能看到rf管是一个整体，而普通管被按照叉指个mos管进行参数提取。
对于大电流的模拟电路   40nm工艺下该怎么画才能将影响降到最低呢？
另：前仿时哪些选项需要勾选
望大佬不吝赐教！！！

diffsland

jiaoda 发表于 2020-6-3 19:07
猜测是finger与Multiplier区别，请区分下再仿真

这个没有弄错，都是finger

diffsland

hitzhabc 发表于 2020-6-3 17:18
这么简单的一个单管，按理说寄生参数都能数得过来。所以哪里影响结果应该能分析得清楚。相对来说，应该更相 ...

我在想是不是提参的rules里面设置的有问题，导致重复提参了？