下层金属的天线效应可以往上层跳线解决，顶层金属怎么办？

ericking0 · 发表于 2020-1-19 10:28:41

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天线效应的基本原理还是清楚的，
当层metal在干法etching时，plasma导致wafer表面电荷聚集，然后和下层的MIM电容，GOX电容分压，从而导致介质击穿；
所以rules卡的当层金属与下层gate或mim面积比例，很好理解；
最好的解决方法其实是上跳线，也很好理解；
下层金属往上跳线就OK了，下层自己的电荷去离子水一冲就泄掉了，上层跳线面积小，不构成问题；

但是顶层金属怎么办？比如顶层MIM电容上极板，只能加Diode或者OD来泄吗？有其他的更好的解决方法吗？

蒋帅 · 发表于 2020-1-19 15:04:49

除了加二极管还可以换另一层金属走线

phosphors · 发表于 2020-2-4 14:19:12

发生天线效应的是栅，所以在顶层连线时只要跳到较高层金属，然后用这层金属之下金属连线则此栅不可能发生天线效应。
部分必须用顶层金属连线导致，可以加天线二极管来解决

JJQL0518 · 发表于 2020-4-23 13:34:48

虽然还没有实践过，但是看过的资料显示除了跳线法，加二极管之外还有一种方法可以解决天线效应，那就是添加缓冲器

JJQL0518 · 发表于 2020-4-23 13:36:24

除了跳线和二极管，还可以通过添加缓冲器来完成呢，虽然我在实践中还没处理过天线效应

ZhiyiGUO · 发表于 2021-12-26 15:05:10

JJQL0518 发表于 2020-4-23 13:36
除了跳线和二极管，还可以通过添加缓冲器来完成呢，虽然我在实践中还没处理过天线效应
...

您好！实在抱歉打扰您，因为我们55分裂式CDAC中MIM电容的CTM电势可能会为负，所以无法通过加反向diode来解决上顶板M6的天线效应的问题。可否追问下您添加缓冲器具体是怎么做的呢？如您能更详细地为我解释一下，真的非常感激！（我查了很多资料，最顶层M6除了diode就没人提到过其他办法，但diode方法又不适合我们的设计）

pph_cq · 发表于 2021-12-27 10:38:01

你可以查看一下rule，一般跳线到顶层金属可以解决天线效应的问题，所以顶层应该是不会报错的

litong717 · 发表于 2021-12-29 15:54:31

ZhiyiGUO 发表于 2021-12-26 15:05
您好！实在抱歉打扰您，因为我们55分裂式CDAC中MIM电容的CTM电势可能会为负，所以无法通过加反向diode来 ...

传输门结构行不行

heng123 · 发表于 2021-12-30 16:02:18

一般都是加diode，或者加个G/S均接地的nmos，其实也是diode

ericking0 · 发表于 2022-1-2 09:39:35

ZhiyiGUO 发表于 2021-12-26 15:05
您好！实在抱歉打扰您，因为我们55分裂式CDAC中MIM电容的CTM电势可能会为负，所以无法通过加反向diode来 ...

即使是split cdac也可以控制共模，控制好开关的时序，保证不出现负压啊；
你那个节点弄个负压出来，上面一个switch都没有？
回到正题，其实扔一个到天的diode也应该可以凑活用；

[讨论] 下层金属的天线效应可以往上层跳线解决，顶层金属怎么办？

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