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[求助] DNW中的NPN三极管

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发表于 2019-9-18 13:42:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 njaiqhbshxhx 于 2019-9-18 14:18 编辑

为什么NPN三极管要作在DNW中?如果没有DNW只有Nwell有什么影响?

PDK自带三极管

PDK自带三极管
发表于 2019-9-18 14:00:27 | 显示全部楼层
p+就会直接软连接到地上了
 楼主| 发表于 2019-9-18 14:21:33 | 显示全部楼层


xuhao 发表于 2019-9-18 14:00
p+就会直接软连接到地上了


谢谢,觉得你说的挺有道理的
发表于 2019-9-18 14:29:36 | 显示全部楼层
你好
你这个图看起来好奇怪哦,为啥nwell比DNW框的大呢??
发表于 2019-9-18 15:03:33 | 显示全部楼层
本帖最后由 yanpflove 于 2019-9-18 15:06 编辑

你好,
    NPN三极管有很多种形式,理解一个NPN器件结构,关键是把握它的发射区、基区和集电区分别是由什么组成的,找到它的两个N型区和一个P型区。
    不同的发射区、基区和集电区,影响三极管的增益、耐压、漏电流等参数,工艺厂提供器件时都需要综合衡量,最终通过PDK的形式向你提供性能稳定的器件。
1,你的工艺不使用DNW,应该也是可以形成NPN三极管的,不使用DNW可能制造怎样的NPN,需要结合特定工艺来看;
2,重点在于理解PDK提供的这个三极管,据图推测,该三极管是由N+,Pwell和DNW组成的纵向三极管,剖面结构图如下:
无标题.png
3,一般工艺中,N阱和P阱的厚度相近,DNW的掺杂浓度比N阱小,比N阱距离表面更深,这也是deep Nwell的“deep”所表达的意思。在纵向NPN三极管中,N阱不能不出现在P阱下方的。
4,基区的P+会连接到SUB上,是通过P+/Pwell/Psub连接的,这个连接挺顺畅的,不算软连接。
5,Nwell和DNW在水平方向上的相对尺寸受到工艺参数的影响,有的是DNW包NW,有的是NW包DNW,这个不奇怪,他们的扩散距离不一样的。

6,这种纵向三极管的集电结是PW/DNW,由于DNW掺杂浓度低,耐压可以比较大,请查询该器件的电学特性,其BVcbo是比较大的。如果拿掉DNW,集电结就变了,耐压和增益等都会变的,这个器件就可能不能用了。
7,tips:遇到不太熟悉的器件,查找文档中的纵向结构图,或者自己画出来,会更容易搞清楚它的结构。
8,reference:教材里应该可以比较容易地查到三极管的器件结构。
 楼主| 发表于 2019-9-18 15:57:58 | 显示全部楼层


去如风 发表于 2019-9-18 14:29
你好
你这个图看起来好奇怪哦,为啥nwell比DNW框的大呢??


这个是工艺库直接调出来的,我也不知道为什么是这样的

点评

这个是因为nw是个环形,中间被挖掉,中间是pwell。  发表于 2021-1-11 13:47
发表于 2019-9-18 16:10:08 | 显示全部楼层


njaiqhbshxhx 发表于 2019-9-18 15:57
这个是工艺库直接调出来的,我也不知道为什么是这样的


可以方便说一下这是什么工艺吗
发表于 2019-9-18 23:24:32 | 显示全部楼层
这个DNW就是三级管里的BN,作用同理
发表于 2019-9-19 09:23:21 | 显示全部楼层
如果没有DNW,应该是做不出NPN,只有PNP
 楼主| 发表于 2019-9-19 10:29:26 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2019-9-18 15:03
你好,
    NPN三极管有很多种形式,理解一个NPN器件结构,关键是把握它的发射区、基区和集电区分别是由什 ...


非常感谢你给了我非常大的启发,根据你帮我画出的剖面图,我自己根据工艺画出的剖面图如下,跟你的有一些不同的地方,因为我这边用的是N阱工艺,没有用到双阱工艺,所以我自己根据你帮我画的我自己重新画了一个。我个人认为这个BJT的E,B,C应该是由n+,p+,n+(NW里面的n+)组成,最后三极又由DNW全部框住,整个器件是作在P_sub上面   如果是从我画的这个剖面图来看,该怎么分析DNW在这个器件上的作用,如果没有DNW对这个器件又会造成什么样的影响呢?望不吝赐教

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