金属到底能不能走沟道。。

maige0106 · 发表于 2019-9-17 09:45:04

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130nm的工艺，5层金属，模拟电路中我知道M1肯定是不能走沟道的，可是M2-M5都不能走吗？求大神解释一下

lalala2018 · 发表于 2019-9-17 10:10:04

为什么不能呢

浪漫的雨 · 发表于 2019-9-17 10:19:44

可以的

ziyibailing · 发表于 2019-9-17 10:23:39

主要看对寄生电容是否敏感

maige0106 · 发表于 2019-9-17 11:04:40

ziyibailing 发表于 2019-9-17 10:23
主要看对寄生电容是否敏感

就是防止寄生和影响匹配的问题

maige0106 · 发表于 2019-9-17 11:06:17

浪漫的雨发表于 2019-9-17 10:19
可以的

不考虑寄生和噪声干扰吗

麦乐鸡 · 发表于 2019-9-18 08:58:29

走沟道指的是金属横穿poly？

maige0106 · 发表于 2019-9-18 14:44:11

麦乐鸡发表于 2019-9-18 08:58
走沟道指的是金属横穿poly？

就是自身连线的金属或者其他路过的金属覆盖了mos的poly

yanpflove · 发表于 2019-9-18 15:35:37

你好，
  有同学提到了寄生效应。我们面对寄生效应应该从定性和定量两个方面分析。
  先分两个角度，工艺和信号：
1，工艺上，金属线跨过MOS，MOS影响金属线吗？金属线影响MOS吗？一般来说，不谈可靠性的话，工艺是支持在poly上走金属线的，它们之间有氧化层作隔离。
2，信号上，分噪声和耐压；
噪声，多晶栅上的噪声会影响到金属线吗？金属线上的噪声会影响到多晶栅吗？噪声耦合和寄生电容大小、信号频率，噪声振幅等因素有关，具体的可以计算，计算所需的相关参数都可以从工艺文档中获得。经验的说法有“不要求匹配的无所谓”，“低频的无所谓”，“匹配器件上的走线要以相同形状跨过匹配器件”“高精度匹配不允许在匹配器件上走线”等。
耐压，金属线和多晶栅之间的电压差有多大，有超过介质耐压的风险吗？经验的说法有“高压的金属线避免跨过低压器件”等。
也没说M1就一定不能走啊，只要把它所造成的影响都考虑清楚了，就可以了。我刚翻了两个工艺文档，并没有提到M1走在多晶硅栅会影响可靠性。
  等等……

dafteric · 发表于 2019-9-18 15:44:56

yanpflove 发表于 2019-9-18 15:35
你好，
有同学提到了寄生效应。我们面对寄生效应应该从定性和定量两个方面分析。
先分两个角度，工艺和 ...

同意

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