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[求助] 为啥HVT是低功耗,LVT是高功耗,我验证的结果为啥不对,有人可以解释下吗?

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发表于 2019-7-9 10:06:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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HVT – High Threshold Voltage causes less power consumption and timing to switch is not optimized.  It is used in power critical functions.
LVT – Low Threshold Voltage causes more power consumption and switching timing is optimized, used in time critical functions.
SVT – Standard Threshold Voltage offers a trade-off between HVT and LVT i.e., moderate delay and moderate power consumption.
图里面明显在相同的gm的时候,hvt的功耗大于lvt,(VDD*id)有人可以给解释下吗?
1123132.png

发表于 2019-7-9 10:35:02 | 显示全部楼层
学习一下。
发表于 2019-7-9 10:57:42 | 显示全部楼层
不知道咋回事,HVT和LVT的size必须是一样的,这样得出的结果一定是LVT ion大才对
发表于 2019-7-9 13:43:24 | 显示全部楼层
https://wenku.baidu.com/view/93d12ce36bec0975f565e20f.html

数字集成电路的平均功耗了解一下
 楼主| 发表于 2019-7-9 14:05:43 | 显示全部楼层


jzr1989 发表于 2019-7-9 13:43
https://wenku.baidu.com/view/93d12ce36bec0975f565e20f.html

数字集成电路的平均功耗了解一下 ...


谢谢。我这边是想用这个管子做一个射频的LNA,只会用到一个管子,虽然看了您发的这个数字集成电路的平均功耗,还是不理解单管的功耗。
 楼主| 发表于 2019-7-9 14:06:58 | 显示全部楼层
这两个管子的栅长、栅宽、finger数都是一样的。
发表于 2019-7-9 14:55:34 | 显示全部楼层


NewYD 发表于 2019-7-9 14:05
谢谢。我这边是想用这个管子做一个射频的LNA,只会用到一个管子,虽然看了您发的这个数字集成电路的平均 ...


gm=2Id/(Vgs-Vth)
发表于 2019-7-9 17:58:46 | 显示全部楼层
HVT和LVT的功耗主要是动态功耗和静态功耗

HVT 阈值电压高,漏电流很小,静态功耗小,同时由于阈值电压高,动态功耗也低
而LVT阈值电压低,漏电流会比较大,静态功耗大,动态功耗也大
漏电流主要是温度高的时候才会体现出来。
发表于 2019-7-10 08:50:23 | 显示全部楼层
基本上demon0821說的都是對的
但是漏電流我有一些不同的意見
在高階製程90nmnm以上,漏電流會超過你的想像
很久以前,公司曾經IC回來,一開始以為IC內部short,
找了一陣子才知道那是漏電流,幾十個mA
基本上HVT與LVT的漏電流差了數十倍...
...
因為漏電流大,所以高階IC的電源管理變顯學了,有用到的區域才打開
发表于 2019-7-10 09:34:00 | 显示全部楼层
楼主的仿真很天真,不知有什么逻辑关系,看到忍不住吐槽。
(1)楼主贴的那几句话写的很清楚了,翻译一下,hvt功耗低但开关速度慢,lvt功耗高但开关速度快。并没有说相同开关速度,哪个功耗更高!!
(2)从楼主仿真来看,只在意gm也是不对的,即使要比较速度,也应该用gm/Cgg!!
(3)楼主仿真得两个管子只有尺寸相同,gm接近两个相同点,vd相同,vg和vs却有差别,更别说衬偏效应等没考虑到,gmbs被吞了吗,还是rf_mos不需要考虑这个??。

另外猜测这个功耗是针对数字电路而言,对模拟电路不太适用。
数字电路,其开关速度及功耗和电源电压,mos管阈值有很大关系,不能在电源电压不同时对两种管子比较!!
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