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楼主: NewYD

[求助] 为啥HVT是低功耗,LVT是高功耗,我验证的结果为啥不对,有人可以解释下吗?

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发表于 2019-7-10 09:57:52 | 显示全部楼层
楼上好大脾气,楼主仿真时,要确保Vgs ,vds,尺寸一样才对,保证gm相等并没什么用
物理概念很好理解,HVT管阈值高,漏电小,静态功耗小,LVT管阈值低,漏电大,静态功耗大
楼主加油
发表于 2019-7-10 13:27:17 | 显示全部楼层
Vgs都不一样。
 楼主| 发表于 2019-7-10 16:00:03 | 显示全部楼层


nanke 发表于 2019-7-10 09:34
楼主的仿真很天真,不知有什么逻辑关系,看到忍不住吐槽。
(1)楼主贴的那几句话写的很清楚了,翻译一下,hvt ...


自己一个人在慢慢摸索,有时候考虑的方向确实不对,层主口气虽然冲了点 - - 但是能指出问题,也是蛮感谢的。我现在的有个问题是如果要在射频器件里面考虑的话,比如说(20Ghz)LNA,应该出于哪种考量来选择这三种晶体管?
 楼主| 发表于 2019-7-10 16:00:37 | 显示全部楼层


激动的油条 发表于 2019-7-10 09:57
楼上好大脾气,楼主仿真时,要确保Vgs ,vds,尺寸一样才对,保证gm相等并没什么用
物理概念很好理解,HVT ...


谢谢你的回复。
发表于 2019-7-10 16:48:25 | 显示全部楼层


NewYD 发表于 2019-7-10 16:00
自己一个人在慢慢摸索,有时候考虑的方向确实不对,层主口气虽然冲了点 - - 但是能指出问题,也是蛮感谢 ...


不是对楼主发脾气,是嫉妒楼主的年轻。
追求速度应该是LVT吧。没接触过RF MOS和LNA,不知道有什么特性,可以多找些资料和文档看。
就普通MOS而言,我会关注fT,gm/id,gm/cgg,噪声,mismatch等。
发表于 2019-7-11 14:46:02 | 显示全部楼层
RF电路除了特殊考虑的话,一般都会选低vth的管子
 楼主| 发表于 2019-7-12 21:23:23 | 显示全部楼层


rayhardenne 发表于 2019-7-11 14:46
RF电路除了特殊考虑的话,一般都会选低vth的管子


可以解释一下为什么嘛?
发表于 2019-7-12 21:43:56 | 显示全部楼层


NewYD 发表于 2019-7-12 21:23
可以解释一下为什么嘛?


速度快啊
发表于 2019-7-15 12:58:18 | 显示全部楼层


NewYD 发表于 2019-7-12 21:23
可以解释一下为什么嘛?


1. LVT管在沟长>Lmin时增益比HVT管大
2. LVT管Gm/Id比HVT管大
3. LVT管Cgg小
4. LVT管噪声小
。。。
好处甚多,不好的地方也有,比如漏电大
发表于 2019-7-15 21:13:08 | 显示全部楼层


NewYD 发表于 2019-7-10 16:00
自己一个人在慢慢摸索,有时候考虑的方向确实不对,层主口气虽然冲了点 - - 但是能指出问题,也是蛮感谢 ...


这里面所谈到的功耗主要是针对数字电路,SOC来讲的。不是针对模拟和射频电路的,要知道只有在先进工艺节点才有多阈值电压的管子提供出来,0.18哪个时候是没有这个概念的。

做过数字电路的后端的,就会知道,需要速度的时候用LVT的STD CELL去换HVT CELL的CELL ,需要降POWER的时候则反之。

至于你问做射频用那种管子,这个我也不说很清楚;但可以给个大概的思路,最早的40nm LP的工艺只有三种VT,后面ULP又增加了2种VT,其中ULVT主要是针对射频应用的。也就是一般射频应用会选更低的阈值电压的管子。另外28nm的PDK里面,TSMC也是先提供的LVT/RVT这些管子的RF模型,开始的时候并没有提供HVT的RF模型,也侧面说明了射频相对这个需求小。
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