NMOS器件的*_diff corner是什么？

skeyer

在TSMC某工艺的SPICE Corner Model Release Note中，有列举一些器件参数，其中有NMOS在5个corner:TT, SS_diff, FF_diff, SF_diff, FS_diff，下的一些参数值
。我的疑问是，corner两个子母不是分别对应NMOS和PMOS么？那么这仅NMOS一种管子怎么会有5种corner呢？（5种corner下的参数值确实不一样）谢谢！

lijie5992373

Corner本来就有5个方向： TT/FF/SS/FS/SF, 第一个字母代表NMOS, 第二个字母代表PMOS

是看错了吗 单一器件只存在TT/FF/SS, 你确定NMOS有5个condition？

skeyer

lijie5992373 发表于 2019-7-4 10:12
Corner本来就有5个方向： TT/FF/SS/FS/SF, 第一个字母代表NMOS, 第二个字母代表PMOS

是看错了吗 单一器件 ...

是有5个，而且5个值还不同，所以不是对于NMOS来说SS=SF这种理解。不过除了TT，另外4个corner都是有"_diff"后缀的，比如FF_diff，所以我在想是不是有些设定是我没了解到的？

lijie5992373

skeyer 发表于 2019-7-4 13:27
是有5个，而且5个值还不同，所以不是对于NMOS来说SS=SF这种理解。不过除了TT，另外4个corner都是有"_diff" ...

你看下NMOS Ion是不是 SS<SF<TT<FS<FF？ 一般比较少跑到FS/FS这两个corner，所以可能SF不会像SS/FF偏那么多

                               
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skeyer

lijie5992373 发表于 2019-7-4 13:49
你看下NMOS Ion是不是 SS

恩，是的，多谢。我想通了，5个corner表示5种工艺设置，所以在对PMOS做调整的时候还是会对NMOS有一些影响，不过这种影响比较小。再次感谢，之前突然脑子僵住了

lijie5992373

skeyer 发表于 2019-7-4 14:52
恩，是的，多谢。我想通了，5个corner表示5种工艺设置，所以在对PMOS做调整的时候还是会对NMOS有一些影响 ...

[size=13.3333px]对PMOS做调整的时候还是会对NMOS有一些影响
[size=13.3333px]

[size=13.3333px]你这句话不对的，NMOS/PMOS implant 有单独的mask，调整PMOS的时候并不会影响到NMOS。

SF condition比较难做到的意思是： Poly CD/Spacer/GOX厚度等很多process都会导致N/P MOS同快或同慢，而SF/FS只有在Implant出问题的时候才会出现（一般不出问题), 所以不用验到大corner，小corner即可。

skeyer

lijie5992373 发表于 2019-7-4 16:10
对PMOS做调整的时候还是会对NMOS有一些影响

“NMOS Ion是不是 SS<SF<TT<FS<FF，“——确实如此。
至于调节PMOS参数时怎么影响NMOS参数，这个还真没向工艺求证过。不过我之前粗浅地认为工艺操作的每一步对整片都是有影响的，比如注入或退火过程的温度、时间控制等，即使不同mask也可能会被影响到。当然，只是凭感觉，没有去求证过。

lijie5992373

skeyer 发表于 2019-7-8 16:21
“NMOS Ion是不是 SS

找到一个合理的解释，SF corner由于N/P ratio和SS差很多，所以NMOS 为例SF corner， slow到SS的75%，预计就会挂掉，所以SPICE model SF/FS corner = SS/FF *75%