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查看: 4548|回复: 11

大虾请进:版图中源衬相连的问题

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发表于 2007-11-22 20:30:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大虾:在virtuso画版图时,用的是chrt.35的工艺,P衬底单阱(N阱)工艺,要把NMOS源极和衬底连接在一起,但是不连接到最低电位,应该怎么做,请大家说清楚一点, 我是一个新手,谢谢!!!

[ 本帖最后由 touching 于 2007-11-22 21:52 编辑 ]
发表于 2007-11-22 20:32:06 | 显示全部楼层
请说明你打算连什么类型的管子,不同的管子有不同连接方法
 楼主| 发表于 2007-11-22 20:38:07 | 显示全部楼层
谢谢楼上的回复,我做的是一个由两个NMOS组成的源极跟随器,其中,负载管是源衬相连且到最低电位的,但是放大管是源衬相连却作为输出端口的
发表于 2007-11-22 20:53:22 | 显示全部楼层
单独做阱
发表于 2007-11-22 21:22:51 | 显示全部楼层
单单NMOS管是不能将源和衬底直接相连的,除非像楼上所说的那样单独做阱
 楼主| 发表于 2007-11-22 21:54:27 | 显示全部楼层
请问单独做阱怎么做,能否说得详细点,谢谢!
发表于 2007-11-23 10:48:42 | 显示全部楼层

就楼住所说的情况时不可能实现的
源跟随器上面的nmos管的衬底也地点为
一般的就连双井工艺(p-well,n-well)对于p-sub来说
是无法nmos的衬底是必须接地的
可以画一下器件剖面图,就会很明白的
但是tri-well是可以实现你要得连接方式的
发表于 2007-11-23 14:37:20 | 显示全部楼层
顶下,楼上说得不错,除非采用三阱工艺,否则NMOS管衬底只能接低电位,我现在做的就是CHRT.35的工艺,呵呵
 楼主| 发表于 2007-11-23 19:32:54 | 显示全部楼层
小弟多些各位的回复了!
发表于 2007-11-28 23:25:37 | 显示全部楼层
no way

you ojust have single well
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