K4T51163QJ-BCE7

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K4T51163QJ-BCE7

      半导体存储器（K4T51163QJ-BCE7）是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

*分类
1.按功能分类
按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）
1）RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
2）ROM 主要用于BIOS存储器。

2.按制作工艺分类
可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。

3.按存储原理分类
可分为：静态和动态两种。

*K4T51163QJ-BCE7主要特点
1.优点
体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

2.缺点
和磁芯存储器不同的是，半导体存储器属于易失性存储器(Volatile Memory)，在电源中断时会使数据消失，如RAM(Random Access Memory)。

*主要用途
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

*技术指标
主要有：
1. 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性）
5. 功耗：动态功耗、静态功耗