mos on时的bv和off时的bv有什么区别？

jimipage

如题。。。。。。。。。

acging

Vgb会有所不同。
off时，没有沟道，Vgb就是gate和body的差。
on时，沟道形成，gate oxide上看到的压差实际是gate电压与沟道内电压的差，当然沟道电压与drain和source电压相关了。
这两种情况可能会影响bv，比如off时看到的Vgb会更大。

jimipage

acging 发表于 2019-6-3 17:33
Vgb会有所不同。
off时，没有沟道，Vgb就是gate和body的差。
on时，沟道形成，gate oxide上看到的压差实际 ...

你说的是栅氧的耐压。但是bv参数不该是ds间的耐压吗？

lijie5992373

1. Off时，BVD应该比较大，且可恢复（除非不限流)。
2. On时，BVD较小，发生热击穿，不可恢复。

jimipage

lijie5992373 发表于 2019-6-4 09:43
1. Off时，BVD应该比较大，且可恢复（除非不限流)。
2. On时，BVD较小，发生热击穿，不可恢复。 ...

热损伤，倒是有可能。
但on的时候，只是个小电阻，能有多少瓦特？此时的bv损伤应该不是这个原因吧？

demon0821

on 的时候，要看你的尺寸了。如果尺寸很大，可能是烧毁的，不是击穿了
如果尺寸较小，此时可能击穿。

lijie5992373

jimipage 发表于 2019-6-4 10:27
热损伤，倒是有可能。
但on的时候，只是个小电阻，能有多少瓦特？此时的bv损伤应该不是这个原因吧？
...

我讲错了，应该是On的时候，所需的击穿电压更大，更不容易发生punch through才对。好像是Gate电压越高，Ron越小。on state击穿感觉还是有点模糊

lsh0211

OFF时，击穿电压高
ON时，击穿电压低
大管子下，因为电流大，还和热有关系。

小管子，去看看fab给的IV曲线就知道了

jimipage

lsh0211 发表于 2019-6-6 12:30
OFF时，击穿电压高
ON时，击穿电压低
大管子下，因为电流大，还和热有关系。

错了吧？off时更容易击穿，所以击穿电压更低啊！！

但on和off的击穿电压差不多。

那么为何off时更容易击穿呢？

lsh0211

谁告诉你off更容易击穿？条件什么？   如果说on下面由于导通电流大导致尖峰电压被吸收，电压降低了，这样对比off下电压更高导致击穿， 那就和击穿电压高低不是一回事  。

on、off击穿电压不一样的差异，是很常见的事情，你去和fab确认就知道，不要没有依据，凭感觉来判断。