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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 有关带隙基准的设计
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楼主: GTBBB

[讨论] 有关带隙基准的设计

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kanchiam
发表于 2019-8-1 10:02:41 | 显示全部楼层
何為bandgap電路
產生一個電壓(1.2V)與process、supply voltage、temperature低度相關
剛好bjt可以產生temperature低度相關
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sixye
发表于 2020-8-6 10:02:17 | 显示全部楼层
据说有些低功耗产品用mosfet亚阈值做
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纵横
发表于 2020-8-20 17:41:48 | 显示全部楼层
所以说用mosfet做低功耗优势更明显？
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