有关带隙基准的设计

GTBBB · 发表于 2019-5-23 15:02:45

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为什么大多数都用bjt设计
而不用mosfet？
有大佬能说明下原因么

andy2000a · 发表于 2019-5-23 15:28:18

Bandgap 就是利用 deltaVBE 跟VBE 去做低温飘阿. Mos 要进 sub threshold 区才有类似 bjt, 因 bipolar很多CMOS

工艺都有PNP都使用.

带隙基准低温飘还需配合电阻温度系数, 虽然书上说 R 可抵消掉. 但是还是有影响. 其它还有不用电阻用 mos http://bbs.eetop.cn/archiver/tid-446621.html

温度系数连续可调的带隙基准源电路设计该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS. 漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源

jung2973 · 发表于 2019-5-23 15:30:26

看书。。。。。

GTBBB · 发表于 2019-5-23 18:12:43

jung2973 发表于 2019-5-23 15:30
看书。。。。。

书上全是bjt的啊你很懂哦

GTBBB · 发表于 2019-5-23 18:14:57

andy2000a 发表于 2019-5-23 15:28
Bandgap 就是利用 deltaVBE 跟VBE 去做低温飘阿. Mos 要进 sub threshold 区才有类似 bjt, 因 bipolar很 ...

多谢回复我明白为什么很多论文是用sub threshold的mos来做bandga了
但是我看到有几篇文章是用diode connected的mosfet做的，可信吗

GTBBB · 发表于 2019-5-23 18:28:32

andy2000a 发表于 2019-5-23 15:28
Bandgap 就是利用 deltaVBE 跟VBE 去做低温飘阿. Mos 要进 sub threshold 区才有类似 bjt, 因 bipolar很 ...

刚才回复您的一直在审核不知道发送成功了么我看了一些bandgap文章，是用sub threshold的mos做的
还有一些是用diode connected的mos做的
不知道靠不靠谱

PowerTheFuture · 发表于 2019-5-23 22:03:27

andy2000a 发表于 2019-5-23 15:28
Bandgap 就是利用 deltaVBE 跟VBE 去做低温飘阿. Mos 要进 sub threshold 区才有类似 bjt, 因 bipolar很 ...

太厉害了！

andy2000a · 发表于 2019-5-24 15:59:15

GTBBB 发表于 2019-5-23 18:28
刚才回复您的一直在审核不知道发送成功了么我看了一些bandgap文章，是用sub threshold的mos做的
还有一些 ...

有种 1v bandgap 是一堆 diode 做, 这没做过不知道. 有人做过这类 bandgap 吗?? 一般 3~12v 都用pnp 做就好啦 . 其实 mos corner model 还 mismatch model , 反看 bipolar model 不准, 好在 bandgap 内pnp 简单使用 . 拿 mos 当 bjt diode 用, 如果 mos 达到都ok , 一般说 mos 平方率会sub_threshold 区变成类似 bipolar 的exp 指数 . 一般 bnagdap 比较关心温飘. 或能否 trimless . 或 low power . mos 工作再 sub_threshold 区会不会出问题? 我说是 yield . 因为不再 strong inversion . 如同有人说 native mos vth很低. 但朋友说不好用 ..如果真如此好用. 那就全改 mos . 何必一堆还

chengji1999 · 发表于 2019-5-25 10:28:31

不错，看看

端木文武 · 发表于 2019-8-1 08:48:33

有点不明白

[讨论] 有关带隙基准的设计

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