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[求助] 如何用工艺库里面的器件设计一个D触发器啊?

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发表于 2019-5-8 19:15:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如何用工艺库里面的器件设计一个D触发器啊?
发表于 2019-5-8 22:00:03 | 显示全部楼层
。。。。。。。。。。。。
先去看看普通D触发器的结构,对比下优缺点,根据你的要求,选择合适的。
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 楼主| 发表于 2019-5-9 09:06:44 | 显示全部楼层


   
小菜鸟ic 发表于 2019-5-8 22:00
。。。。。。。。。。。。
先去看看普通D触发器的结构,对比下优缺点,根据你的要求,选择合适的。 ...


普通的不就是PMOS和NMOS连在一起吗?可是达不到效果,怎么设计,有具体的电路图吗?在网上只有普通的一个PMOS和一个NMOS连起来的,唉
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发表于 2019-5-9 10:54:49 | 显示全部楼层
达不到效果是什么意思?你的D触发器有什么具体要求吗?
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发表于 2019-5-9 12:24:07 | 显示全部楼层
传输门的,TSPC都可以啊。先进工艺可以做到10G,基本的要求应该都能满足。查查知网上面的中文论文,应该就够用啦
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 楼主| 发表于 2019-5-9 21:01:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 浩瀚—yh 于 2019-5-9 21:03 编辑


   
chengji1999 发表于 2019-5-9 10:54
达不到效果是什么意思?你的D触发器有什么具体要求吗?


只是实现基本功能,在上升沿到来的时候输入如果是低电平,输出就要是低电平,输入是高电平,输出就要是高电平;我用pmos和nmos设计了反相器和传输门,然后再将反相器和传输门搭在一起做了一个D触发器,结果仿真波形就是在上升沿到来的时候,输出就是错误的,你看看图
捕获.PNG
捕获2.PNG
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 楼主| 发表于 2019-5-9 21:02:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 浩瀚—yh 于 2019-5-9 21:04 编辑


   
小菜鸟ic 发表于 2019-5-9 12:24
传输门的,TSPC都可以啊。先进工艺可以做到10G,基本的要求应该都能满足。查查知网上面的中文论文,应该就 ...


只是实现基本功能,在上升沿到来的时候输入如果是低电平,输出就要是低电平,输入是高电平,输出就要是高电平;我用模拟器件pmos和nmos设计了反相器和传输门,然后再将反相器和传输门搭在一起做了一个D触发器,结果仿真波形就是在上升沿到来的时候,输出就是错误的,你看看图
捕获.PNG
捕获2.PNG
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发表于 2019-5-9 23:28:38 | 显示全部楼层
我就用的这样的结构啊,是可以产生功能的,是不是你两个CLKP,CLKN因为产生的方式有延迟,导致传输门失效。你可以用一路CLK,加两个反相器产生CLKP,一个反相器一个buffer做CLKN。试一下。
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发表于 2019-5-10 08:46:22 | 显示全部楼层
看结构没有什么问题,排查一下是哪个环节出了问题,锁不住还是无法置位
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 楼主| 发表于 2019-5-10 09:55:43 | 显示全部楼层


   
小菜鸟ic 发表于 2019-5-9 23:28
我就用的这样的结构啊,是可以产生功能的,是不是你两个CLKP,CLKN因为产生的方式有延迟,导致传输门失效。 ...


我为什么看不懂啊,可不可以加个微信还是qq,我qq1141092542,
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