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[求助] 关于制作工艺中的NPO工艺原理

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发表于 2019-3-4 15:40:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在mos管的制作工艺中poly制程中有一步NPO(n型多晶硅栅预掺杂),据说是为了抑制多晶硅耗尽效应。求教NPO的具体作用和原理以及多晶硅耗尽效应是指什么?
发表于 2019-3-15 17:10:51 | 显示全部楼层
因为当多晶硅的掺杂浓度有限时,其上存在压降,则其中就会有电场,从而二氧化硅界面附近处的电子即容易被电场吸引到栅金属电极一侧,导致界面附近处出现耗尽层。耗尽导致栅极电介质厚度的实质上增大,由此对器件性能产生负面影响,所以要进行预掺杂
发表于 2019-3-15 20:15:51 | 显示全部楼层
dingyiexan
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