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楼主: mark1th11

[求助] ESD power clamp 設計

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发表于 2021-10-4 17:04:54 来自手机 | 显示全部楼层
后面的n管  类型有要求吗
发表于 2021-11-18 17:35:32 | 显示全部楼层
请问下,这个结构是在通过R分压使PMOS管的GATE电压降低,然后PMOS管导通,放电吗?
发表于 2022-2-14 14:56:09 | 显示全部楼层
R , cap  value  =??  


个人看法 esd pulse r-c 会透 invert 去打开  pmos / nmos , esd 电放掉.  R-c  选多少是问题,
放电用pmos  nmos 要够大  电流流得够




发表于 2023-5-19 10:12:35 | 显示全部楼层
多谢分享
发表于 2023-5-23 17:59:29 | 显示全部楼层
PMOS 比NMOS 面积大 ,原因有可能是PMOS 空穴传输速率没有NMOS电子高
发表于 2023-5-24 11:25:32 | 显示全部楼层
是的,迁移率大概是1/3的样子,所以面积很大
发表于 2023-6-3 23:52:03 | 显示全部楼层
看你需要什么,不同需要考量不一样(效率高还是安全),还需要ESD window 来看那种会更好一些
NMOS 会更好一些,NMOS导通电阻小,但是设计难度大,PMOS会更安全点
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