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[原创] wafer测试Ids、Vth超范围正常么?

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发表于 2019-2-21 17:12:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏100资产已解决
本帖最后由 istart_2002 于 2019-2-21 17:31 编辑

WAT测试,比如NMOS拉到slow corner,Ids低于工艺厂自己设定的最低值;pmos拉到slow corner,Ids可能高于工艺厂自己设定的最高值,fast corner时,Ids可能低于工艺厂自己设定的最低值;s corner 高压NMOS Vth略高于工艺厂自己设定的最高值。。。typical下,测试都是正常的。
这种问题可以忽略么?
微信截图_20190221175044.png

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个人看法,仅供参考: 这个可以忽略。 从你给出的数据来看,你测到的最大值与工厂给出的最大值差别很小,最小值也是。 引起这么小的误差,出现的原因你可以进一步分析。不过我觉得不必要了。 原因可能是:你测试的次数不够多,或者精度不够;另外就是你的针卡是否能够分辨出这么小的误差。 当然,也可能是其他原因,不过都没有必要进一步去确认了。 ...
发表于 2019-2-21 17:12:53 | 显示全部楼层
个人看法,仅供参考:
这个可以忽略。
从你给出的数据来看,你测到的最大值与工厂给出的最大值差别很小,最小值也是。
引起这么小的误差,出现的原因你可以进一步分析。不过我觉得不必要了。
原因可能是:你测试的次数不够多,或者精度不够;另外就是你的针卡是否能够分辨出这么小的误差。
当然,也可能是其他原因,不过都没有必要进一步去确认了。
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 楼主| 发表于 2019-2-27 16:54:13 | 显示全部楼层




    请问你们曾经遇到过类似的问题么?后来没有引起什么问题么?
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发表于 2019-2-28 12:59:49 | 显示全部楼层
回复 3# istart_2002


    没有遇到过
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