wafer测试Ids、Vth超范围正常么？

istart_2002 · 发表于 2019-2-21 17:12:52

本帖最后由 istart_2002 于 2019-2-21 17:31 编辑

WAT测试，比如NMOS拉到slow corner，Ids低于工艺厂自己设定的最低值；pmos拉到slow corner，Ids可能高于工艺厂自己设定的最高值，fast corner时，Ids可能低于工艺厂自己设定的最低值；s corner 高压NMOS Vth略高于工艺厂自己设定的最高值。。。typical下，测试都是正常的。
这种问题可以忽略么？
微信截图_20190221175044.png

yangnanfrank · 发表于 2019-2-21 17:12:53

个人看法，仅供参考：
这个可以忽略。
从你给出的数据来看，你测到的最大值与工厂给出的最大值差别很小，最小值也是。
引起这么小的误差，出现的原因你可以进一步分析。不过我觉得不必要了。
原因可能是：你测试的次数不够多，或者精度不够；另外就是你的针卡是否能够分辨出这么小的误差。
当然，也可能是其他原因，不过都没有必要进一步去确认了。

istart_2002 · 发表于 2019-2-27 16:54:13

个人看法，仅供参考：
这个可以忽略。
从你给出的数据来看，你测到的最大值与工厂给出的最大值差别很小， ...
yangnanfrank 发表于 2019-2-26 16:38

登录/注册后可看大图

请问你们曾经遇到过类似的问题么？后来没有引起什么问题么？

yangnanfrank · 发表于 2019-2-28 12:59:49

回复 3# istart_2002

没有遇到过

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