工艺无关 osc

teddy01290223 · 发表于 2021-2-23 17:31:53

thanks for sharing ~

acocacol · 发表于 2021-2-27 23:36:36

能做出来那是划时代的

IC2019 · 发表于 2021-3-23 18:45:14

我也做OSC

IC2019 · 发表于 2021-3-23 18:48:27

fightshan 发表于 2019-1-30 14:11
就从仿真来看，无论是电容（MOM电容）还是电阻（poly电阻）从ff到ss的绝对值变化能达到40%，如果你是做RC o ...

你是如何做corner 补偿的？有没有相关文章

nick_zhu1990 · 发表于 2021-8-25 16:21:43

fightshan 发表于 2019-1-30 14:11
就从仿真来看，无论是电容（MOM电容）还是电阻（poly电阻）从ff到ss的绝对值变化能达到40%，如果你是做RC o ...

大神真牛

lynker · 发表于 2021-8-26 09:42:38

nanke 发表于 2020-11-23 15:08
最近折腾低频RC振荡器，鼓捣了半个月还搞不定，发现比我之前想的要难得多，到现在10%都做不到目前的思路 ...

之前eetop上有人提到过，电阻R使用MOS管的gm代替，电容C使用MOS管饱和区的栅电容，也就是Cox。我推倒过公式结论是与工艺无关，但这里的公式是最简单的MOS管饱和区二次方公式，实际器件模型比这个复杂得多。打算过搭电路尝试，一直没动手，兄弟要是有兴趣可以按这个原理试试。

nanke · 发表于 2021-8-27 10:38:43

lynker 发表于 2021-8-26 09:42
之前eetop上有人提到过，电阻R使用MOS管的gm代替，电容C使用MOS管饱和区的栅电容，也就是Cox。我推倒过公 ...

这个我以前应该瞎试过但没成功，还有个迁移率不好控制。这一块了解的太少，没法设计出好用的电路。振荡器变量太多，有些还是线性度还很差，不好控制。工艺偏差小了温度系数就大了。

不是做振荡器这块的，只是需要用到，性能不好也认了，折腾了半个月后面就没研究了。

piao · 发表于 2022-7-7 23:34:55

Thanks for sharing

21年跨行RFIC · 发表于 2022-7-26 19:22:06

thanks

kelpait · 发表于 2023-8-3 20:41:09

lynker 发表于 2021-8-26 09:42
之前eetop上有人提到过，电阻R使用MOS管的gm代替，电容C使用MOS管饱和区的栅电容，也就是Cox。我推倒过公 ...

你好，有相关的链接或者paper可以参考一下吗

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