工艺无关 osc

zealotyao

efuse不是CP，是FT Trim，能不能不trim做到10%，不同工艺参数变化，分布不同

晚生小辈

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jinjindjy

谢谢分享

yuweimo

thanks

peterlin2010

目前有 trimless bandgap , 但是OSC 须 R , CAP , 两者在CORNER MODEL    变化很大 . 要做到trimless clock 不容易

nanke

fightshan 发表于 2019-1-30 14:11
就从仿真来看，无论是电容（MOM电容）还是电阻（poly电阻）从ff到ss的绝对值变化能达到40%，如果你是做RC o ...

最近折腾低频RC振荡器，鼓捣了半个月还搞不定，发现比我之前想的要难得多，到现在10%都做不到目前的思路是：
用松弛振荡器
I= m*VT/R + u*Cox*V
C= Cox

主要问题是
（1）各参数（R vth u cox)的corner不重合，特别是电阻和mos，corner仿真补偿好了，蒙特卡罗仿真variation还是很大。
（2）补偿完vth和cox，还剩下u没法消去，R变化导致电流绝对值和温度系数变化。
（3）如果用res-less的电流补偿温度系数，COX又没法消去。

不知还有什么其它思路，

fightshan

nanke 发表于 2020-11-23 15:08
最近折腾低频RC振荡器，鼓捣了半个月还搞不定，发现比我之前想的要难得多，到现在10%都做不到目前的思路 ...

corner要用trim，补偿只是做温度补偿，不包括corner时，10%肯定很容易，我实测的结果也就2%，够用了

gugu810

不trim只能靠你的工艺了。

nanke

放弃了，osc逃不掉RC的corner变化。
这次当了回spice monkey，做之前低估了低频RC osc的难度，看到论坛里有人用mos互相补偿做到了正负5%，以为自己能做到10%，原理都没弄清楚，甚至连mos各参数的PVT特性都没弄清楚就动手了。

单独减小工艺偏差或单独减小温漂10%以内还能做到，两个加起来就满足不了了。

到目前为止，能想到的不trimming的方案PVT最多也只能到正负15%：
（1）产生PVT无关的（<5%）电流，已经有论文做到了，不过太复杂了。
（2）使用MIM电容，没有就只能用MOS电容，MOM电容绝对误差太大。
（3）如果电源电压范围大，就做一个基准（不需要准）
这样下来，功耗可以做低，但面积有点大。。

jeffej

no trim, not easy, process dependent