关于RDL和RV的疑问

浩瀚—yh

回复 9# 我要改名字啦啦


   能不能加个微信啊？

wbautumn

回复 5# yanpflove

谢谢大神指点，学习了

123456a.

学习了

浩瀚—yh

yanpflove 发表于 2018-12-14 16:20
是的，是Al。
不知道你在用的是什么工艺，但想必在这一点上各个工艺应该是差不多的；
我在用的工艺给的剖面 ...

图上的pass是什么，有什么作用？

yanpflove

浩瀚—yh 发表于 2019-4-24 15:32
图上的pass是什么，有什么作用？

您好，

passvation，钝化层，保护层，由覆盖在整个集成电路上的厚的淀积氧化物或氮化物薄膜组成。它将最上面的金属层与外部空间隔开，因此（例如）任何一颗导电灰尘都不会使得相邻的两条导线短路。由于铝很软，在压力下铝金属会软化变形，因此保护层也是有助于稳固集成电路的一项必要措施。保护层还有助于阻止污染物的进入。铝金属连线和下层的硅易受某种能够穿透塑料封装的污染物的侵蚀。配比合适的保护层能够形成对这些污染物的屏障。有时将重掺杂的磷硅玻璃用做保护层，但大多数现代工艺已改用压缩氮化物薄膜，因为它具有更高的机械硬度和抗化学腐蚀性。

【模拟电路版图的艺术-p58】

MRzhou

yanpflove 发表于 2018-12-14 16:20
是的，是Al。
不知道你在用的是什么工艺，但想必在这一点上各个工艺应该是差不多的；
我在用的工艺给的剖面 ...

请问pad下面是不用画RV的吗？看你图是AP直接通过CB接到TM,如果说pass1是CB和RV derive的呢？RV怎么画

yanpflove

MRzhou 发表于 2019-5-1 07:31
请问pad下面是不用画RV的吗？看你图是AP直接通过CB接到TM,如果说pass1是CB和RV derive的呢？RV怎么画 ...

您好，
1，在这种结构下，RV的作用是连接哪两个部分呢？（TM和RDL）
    那么，请您注意PAD下是什么哦，CB也就相当于一个很大的RV了呀。
2，对于您的问题的后半段，我没有看明白。能换个说法吗？

MRzhou

yanpflove 发表于 2019-5-1 13:31
您好，
1，在这种结构下，RV的作用是连接哪两个部分呢？（TM和RDL）
    那么，请您注意PAD下是什么哦，C ...

RV是连接AP和TM的嘛，您画的cross section pass1部分，如果rule上写的这层由RV和CB运算，请问一下PAD下面是否应该画RV，这点我有点弄不懂，请指教，谢谢！

yanpflove

MRzhou 发表于 2019-5-2 20:43
RV是连接AP和TM的嘛，您画的cross section pass1部分，如果rule上写的这层由RV和CB运算，请问一下PAD下面 ...

您好，从结构和逻辑上看，CB中出现RV，说不通的；要确认的话，请您查看您的PDK和工艺文档哦~
【您这个问题本身值得商榷，不需要纸上谈兵，查看PDK和工艺文档后，将一目了然，不需要进行这方面的假设，它说画那就画，它说不画就不画，没什么应该不应该画的】
【器件结构和掩模运算是两个角度，不应该混在一起来理解】
【我的剖面图是基于我手上的工艺画出的，在这个工艺下，DRC角度，CB和RV不能交叠，其他工艺未知】
【器件结构和原理，值得我们讨论搞清楚，关于具体的实现细节，更应该结合具体某个工艺来谈，对着特定的PDK和工艺文档才有意义。】

浩瀚—yh

yanpflove 发表于 2019-4-24 18:42
您好，

passvation，钝化层，保护层，由覆盖在整个集成电路上的厚的淀积氧化物 ...

你好，对于substrate的结构是不是每种工艺都不一样？现在在使用一种40nm工艺，有相对应的substrate文件，导入ADS可以看见此substrate的结构的每一层，就是想知道substrate的在集成电路领域的具体定义和意思是什么