ESD Implant

nwpupind · 发表于 2022-8-3 13:28:04

SMIC ESD1 还要单独增加一层MASK，真是坑

hhlunar · 发表于 2023-1-31 11:25:17

yanpflove 发表于 2018-11-1 15:27
1，logic operation应该是对drawing layer进行的为适应MASK制作而进行的中间步骤（可在相关文档搜索“logic ...

你好！我想请问一下，sab是减小drain的参杂，ESD1又是增加drain的浓度，这不矛盾吗，怎么理解呢
如果直接拿掉ESD1，触发电源能提高多少呢，这种情况下，如果我在电源地之间加mos电容，不知道会不会先被击穿

dongkai1003 · 发表于 2023-4-13 17:33:22

yanpflove 发表于 2018-11-1 15:27
1，logic operation应该是对drawing layer进行的为适应MASK制作而进行的中间步骤（可在相关文档搜索“logic ...

我想知道是N型注入？？？，应该是在drain的cont下做P型注入吧，使的n和P衬底之间形成一个过渡的界面层，降低势垒，利于ESD来的时候diode反向导通。

Andyou · 发表于 2023-5-29 15:28:50

lianaissmec 发表于 2018-11-2 09:06
我只见过漏端覆盖ESD的版图，请问一下，ESD层覆盖整个有源区的是在哪个工艺中出现的，我想看看它的逻辑运算 ...

韩国东部bcd工艺好像是全覆盖的

cmmjava · 发表于 2023-8-31 00:21:12

感谢分享

nomatterwhat · 发表于 2023-9-1 11:25:59

学习了

gcwen · 发表于 2025-3-24 19:53:46

dongkai1003 发表于 2023-4-13 17:33
我想知道是N型注入？？？，应该是在drain的cont下做P型注入吧，使的n和P衬底之间形成一个过渡的界面层， ...

看到资料上确实是注入P型离子。这个也请FAB的兄弟们确认一下。

djc2zn · 发表于 2025-12-10 14:59:42

hhlunar 发表于 2023-1-31 11:25
你好！我想请问一下，sab是减小drain的参杂，ESD1又是增加drain的浓度，这不矛盾吗，怎么理解呢
如果 ...

sab 是增加drain 得电阻，ESD1是降低Drain 到p衬底得耐压

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