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[讨论] ESD Implant

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发表于 2018-11-1 14:55:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 sanmuyang 于 2019-4-10 09:46 编辑

如图ESD管的画法有什么区别,一个ESD1层只在漏端,另一个覆盖全部,before/after logic operation是什么意思?
ESD1.png
ESD2.png
 楼主| 发表于 2018-11-1 14:57:27 | 显示全部楼层
图片只有两张,不知道怎么传多了
发表于 2018-11-1 15:27:10 | 显示全部楼层
1,logic operation应该是对drawing layer进行的为适应MASK制作而进行的中间步骤(可在相关文档搜索“logic operation”,看是否有相关说明)。
2,ESD Implant 目的是增加N型注入浓度,以降低Drain/Psub的击穿电压,从而降低ESD的触发电压,Vt1,所以只是Drain端需要这个额外的注入。
3,其他地方不需要,因为增加ESD Implant,会降低有源区的电阻,不利于ESD器件多叉指的均匀开启。
同理,在支持silicide的工艺中,甚至会在ESD的active区域阻挡silicide,防止进一步降低电阻。
4,综上,logic operation之前,为简化版图工程师设计,将ESD Implant画成简单的矩形。
实际MASK制作时,只要这个矩形中的一部分,所以需要一个中间步骤“logic operation”。
(关于ESD Implant Mask的logic operation应该会有一个逻辑运算的公式的。)
发表于 2018-11-2 09:06:47 | 显示全部楼层
我只见过漏端覆盖ESD的版图,请问一下,ESD层覆盖整个有源区的是在哪个工艺中出现的,我想看看它的逻辑运算是怎样的
发表于 2018-11-2 09:12:56 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2018-11-2 09:27:39 | 显示全部楼层
盖满的那个图是before?只有drain端有的是after?
你没查一下ESD1这一层什么作用吗,加在drain端的有可能是ESDIMP(目的是降低break down电压),一般用于HV tolerance IO circuits
 楼主| 发表于 2018-11-2 14:21:20 | 显示全部楼层
回复 3# yanpflove


   说的很清楚,谢谢!!!
 楼主| 发表于 2018-11-2 14:25:08 | 显示全部楼层
回复 4# lianaissmec


   smic 、gsmc我们都是直接覆盖整个有源区的
 楼主| 发表于 2018-11-2 14:31:09 | 显示全部楼层
回复 6# 账户已登录


   对的,ESD1层就是ESD implant
发表于 2021-4-15 17:51:14 | 显示全部楼层


sanmuyang 发表于 2018-11-1 14:57
图片只有两张,不知道怎么传多了


哈哈 这个图一看就是smic

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