大功率PMIC中的功率管应该选VDMOS还是LDMOS

weii_zhao · 发表于 2018-9-30 11:03:58

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PMIC中需要集成功率开关，电流10-15A，RDSON大约100毫欧姆，最大电压40V。
1. 功率管应该选择VDMOS还是LDMOS？似乎LDMOS不能支持这么大电流。
2. 如果用VDMOS哪家代工厂提供集成VDMOS的BCD工艺？
3. 有没有用IGBT或LIGBT来做的？

TianBian365 · 发表于 2018-10-20 00:39:46

电流太大，且高压。无法和其他电路集成，需要单独功率器件，封装在一起比较合适。。。或者分立器件

qiwentuo · 发表于 2018-10-22 09:32:25

100毫欧这么大，要跑10A以上，集成的话算算得多热？用外置mos可行，没记错的话，外置的mos一般是VDMOS，内置是LDMOS的

peterlin2010 · 发表于 2024-11-7 22:25:08

PMIC中需要集成功率开关，电流10-15A，RDSON大约100毫欧姆，最大电压40V。
1. 功率管应该选择VDMOS还是LDMOS？似乎LDMOS不能支持这么大电流。
2. 如果用VDMOS哪家代工厂提供集成VDMOS的BCD工艺？
3. 有没有用IGBT或LIGBT来做的？

电流10-15A , low Rds => VMOS , mcm package

BCD ldmos 做不了

IGBT speed slow ..

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