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楼主: xyy021007

[资料] sub-40nm LDE(Layout Dependent effect)效应分析

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发表于 2019-7-1 10:22:05 | 显示全部楼层
多谢楼一~
发表于 2019-7-4 14:17:57 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2019-7-5 10:12:18 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!
发表于 2019-7-5 13:13:54 | 显示全部楼层
Xie Xie
发表于 2019-9-20 07:59:24 | 显示全部楼层
非常感谢!
发表于 2019-9-20 08:49:55 | 显示全部楼层
好东西,赞
发表于 2020-1-13 10:26:30 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2020-2-17 16:11:16 | 显示全部楼层
非常不错,感谢!
发表于 2020-3-12 09:06:49 | 显示全部楼层
很好的分享,谢谢楼主!
发表于 2020-3-12 16:07:57 | 显示全部楼层
Layout-Dependent Proximity Effects
in Deep Nanoscale CMOS
John Faricelli – April 16, 2009

==
Electrical Variability due to Layout Dependent Effects:
Analysis, Quantification, and Mitigation on 40 and
28nm SOC Designs

==
Lecture 12  


Process-induced Variations II:
Systematic
– Lithographic Proximity Effect
– Layout Dependent Strain
– Well Proximity Effect
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