ploy方向

andyfan · 发表于 2018-9-10 20:48:33

回复 5# fangwang85

是可以不一样的，方向一致的主要原因前面解释过了，主要是因为注入的需要，为了减少器件波动，会专门把绕一圈打的注入改成两个方向。SRAM的VT是专门的MASK，所以可以单独要求。
std cell即便和sram的方向一致，但因为IO在40的时候，大部分IO CELL还没有提供XY两个方向的两套，所以IO里面的core poly在XY两个方向上必然方向不一致，这也就要去工艺制造的时候，还是要四个方向去打注入。28的时候，一般的IO库都会提供XY两个方向的选择，不同方向用不同的CELL。

fangwang85 · 发表于 2018-9-11 10:48:16

回复 11# andyfan

明白了，谢谢哈。icc里面是可以看到poly方向的，setting菜单下选择CEL view就可以了

chingyy000 · 发表于 2018-9-12 09:41:47

学习了

xingyun666666 · 发表于 2018-9-12 10:40:52

回复 12# fangwang85

请问师兄，在ICC2中应该怎么看？

hijackerhaha · 发表于 2022-2-25 17:55:52

andyfan 发表于 2018-9-9 20:10
40nm应该只要求SRAM的POLY方向是一个方向的，几家主流的都是如此。

28nm才开始要求core的POLY都是一个方向 ...

赞一个！解释的通俗易懂

chian · 发表于 2022-3-15 09:07:40

不同IO的Poly方向不一致会怎样
譬如VDD IO的Poly是横向，Analog IO的Poly方向是纵向
会影响ESD能力吗

lyfwill · 发表于 2022-3-30 16:46:19

andyfan 发表于 2018-9-10 20:48
回复 5# fangwang85

解释的很详细，感谢！

a52030999 · 发表于 2022-4-29 09:14:26

解释的很详细，感谢

立华奏 · 发表于 2022-4-29 10:59:06

xingyun666666 发表于 2018-9-10 13:34
回复 3# andyfan

ICC中看不到POLY，在calibre中看

todou2015 · 发表于 2024-1-17 10:25:27

andyfan 发表于 2018-9-9 20:10
40nm应该只要求SRAM的POLY方向是一个方向的，几家主流的都是如此。

28nm才开始要求core的POLY都是一个方向 ...

mark。

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