实际量产中带隙基准如何做高阶补偿？

tf001 · 发表于 2018-8-1 09:30:28

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现在在做一个带隙基准，要求仿真在12ppm以内，暂不考虑封装的影响，也用的好的bipolar工艺，用普通的一阶补偿做不了那么小，但是用高阶补偿在一个工艺角OK，其他工艺角就炸了，蒙特卡罗仿真和一阶比差不了太多，想问下大家实际量产中对ppm要求比较高时是怎么做的？（注意是量产，不是只跑一个corner）

haichao89 · 发表于 2018-8-1 10:13:00

用普通的cmos工艺做过一个, mc=400, TC max <11ppm. 不过还没tapout, 还只是纸上谈兵。

tf001 · 发表于 2018-8-1 11:01:36

回复 2# haichao89

你好，用的是哪种结构呢？

haichao89 · 发表于 2018-8-1 12:48:25

leung 结果加二阶补偿。

tf001 · 发表于 2018-8-1 13:16:18

回复 4# haichao89 二阶补偿用VBE偏置不同温度系数的电流下实现？

haichao89 · 发表于 2018-8-1 13:50:15

我觉得你的问题不在二阶补偿上, 因为你的TTcorner 已经可以满足要求了,关键是把corner的偏差问题解决。

kwankwaner · 发表于 2018-8-6 15:40:30

回复 1# tf001

用更好的工艺，或者更昂贵的校准

tf001 · 发表于 2018-8-8 13:58:02

回复 7# kwankwaner

更好的工艺是因为工艺角变化更小是吗？有没有电路补偿方法可以用的，现在在看beta补偿技术

kwankwaner · 发表于 2018-8-8 19:12:50

回复 8# tf001

对

tf001 · 发表于 2018-8-8 19:26:28

回复 9# kwankwaner

谢谢您的建议，那还有什么电路设计方法可以弥补一定的工艺偏差吗？

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