为什么MOS用1,0,0的wafer

lxg2009 · 发表于 2007-9-5 14:54:10

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为什么MOS用1,0,0的wafer, 而Biploar用1,1,1的wafer（是不是1,1,1方向好切割？）

lxg2009 · 发表于 2007-9-6 09:56:09

no body knows?

wayne_me · 发表于 2007-9-6 21:40:26

硅基(1,0,0)晶向在制作栅极是形成的表面态较少,能使MOS管产生更好的性能

lxg2009 · 发表于 2007-9-7 08:38:17

谢谢回答！Bipolar用1,1,1方向只是因为好切割吗？

chudong · 发表于 2007-9-7 15:16:05

又学到东西了，哈哈。
不过能解释一下为什么100表面态少么？Bipolar在111面，这么说Bipolar不受表面态影响？不懂，求助！！

lxg2009 · 发表于 2007-9-7 18:01:49

问了一位做工艺的，都到了结论：
硅基(1,1,1)晶向的确容易切割，但不是这个原因。真正的原因是比较容易生成NWELL。而用硅基(1,0,0)晶向生成NWELL的话，不但注入的时候要偏个角度，还要进行高温处理。
硅基(1,0,0)晶向的硅与SiO2的接触面会产生较少的缺陷，适合做MOS的GATE---

prexy · 发表于 2007-12-2 16:16:18

准确的说（1，1，1）晶面密度很大，（1，0，0）晶面密度小
在注入推结过程中（1，1，1)晶面能够容易精确控制
因为bipolar是纵向器件，更多要求纵向精确尺寸
MOS是表面器件，使用（1，0，0）晶面可以缩短PROCESS时间

fly6987 · 发表于 2007-12-3 11:42:19

very useful information

ZFH1986 · 发表于 2010-4-19 10:34:42

谢谢

bettersilicon · 发表于 2010-4-19 11:14:46

准确的说（1，1，1）晶面密度很大，（1，0，0）晶面密度小
在注入推结过程中（1，1，1)晶面能够容易精确控制
因为bipolar是纵向器件，更多要求纵向精确尺寸
MOS是表面器件，使用（1，0，0）晶面可以缩短PROCESS时 ...
prexy 发表于 2007-12-2 16:16

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楼上各位吉祥~~~

回答得好！

为什么MOS用1,0,0的wafer

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