MOSfet参数计算与仿真问题

chudong · 发表于 2007-8-16 09:53:13

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

请问各位：
在对偏置电路中MOSfet的参数计算得出的结果与用软件仿真得出的结果差别很大，相差好几倍呢，这个问题一直困扰着我。请问如果要计算电路的中管子的大概参数的时候，一般用什么方法？用什么模型？谢谢

e_fever_li · 发表于 2007-8-16 18:40:29

我想要结合model对mos在不同的W,L，Vgs，Vds下仿真，从曲线来提取，手算用的u，Cox，lambder，，，而以上的参数都应给对应一定的W,L，Vgs，Vds范围，，model应该是你sim所用的model，这样可能就比较准了，good luck ！

chudong · 发表于 2007-8-17 09:21:27

多谢楼上，但是还有一个问题：我想在仿真以前用Level_1 model估算一下，至少确定大概的MOSfet参数，但是这个和最终用软件run出来的结果相差好像比较大，我想问的是，是不是我用Level_1 model产生的误差？

e_fever_li · 发表于 2007-8-17 13:55:17

level 1 model 只能用来算书上的题，是不能用来设计的电路的，他和高级别的model，仿真的结果差距很大，由其是在亚微米级以后，，要想的功能和性能都有，要多多的理解model，，，good luck！

chudong · 发表于 2007-8-27 16:48:55

十分感谢！在请问有没有相关的介绍model中各个参数的具体意义的资料，以及能否介绍一下软件是用什么样的公式（并且利用model里面的参数）计算出结果的

e_fever_li · 发表于 2007-8-27 19:43:00

你可以尝试一下这本书，Operation and Modeling of the MOS Transistor
或者 cadance ，hspice 也是不错的选择，
或者上http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/get.html
软件计算用的工式长的要死，我想是不能有来手算的。