为什么在版图中有源区和poly重叠的地方不能打接触孔，求解答

gybak · 发表于 2018-4-25 14:06:42

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ch085234 · 发表于 2018-4-25 15:05:23

会违规的吧

chinarml · 发表于 2018-4-25 19:33:48

有源区和poly重叠的部分是cmos的gate，就是沟道。gate上不允许打孔应该是代工厂的要求，
沟道作为一颗mos最关键的结构，对于精度的要求是很高的。
而打通孔时需要盖掩膜版，光照，刻蚀等工业处理。
在poly和metal1中间的绝缘层打孔，这些操作可能会影响到沟道的精度。
所以rule中不仅不允许在gate上打孔，而且还有spacing的要求。

以上都是我的推测，真是原因我觉得应该资深PE才能知道。
欢迎大家积极讨论

powerboy711 · 发表于 2018-4-25 21:24:02

因为栅氧的厚度相对于场氧要薄很多，所以场氧耐压高于栅氧，而在生产过程中，metal层通常会累积电荷，所以poly-contact做在场氧上的上更安全。

篮板痴汉 · 发表于 2018-5-10 20:31:52

回复 4# powerboy711

666，同意

limonstone2012 · 发表于 2018-6-4 10:53:52

回复 4# powerboy711

4楼正解，貌似在哪本书上看到过

limonstone2012 · 发表于 2018-6-4 10:54:28

回复 4# powerboy711

4楼正解，貌似在哪本书上看到过

limonstone2012 · 发表于 2018-6-4 10:55:28

回复 4# powerboy711

4楼正解，貌似在哪本书上看到过

note30933 · 发表于 2018-6-4 13:03:43

good point

vissa · 发表于 2018-6-14 22:41:37

打孔会影响阀值电压，好像是版图的艺术上面匹配那里有写

[求助] 为什么在版图中有源区和poly重叠的地方不能打接触孔，求解答

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