SAR ADC自校准二进制和温度码阵列的区别？

liuweihui1015 · 发表于 2018-3-6 20:14:52

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本帖最后由 liuweihui1015 于 2018-3-9 11:14 编辑

采用下图中所示的自校准方法：对于二进制DAC阵列：对于最高位电容
第一个状态Φ1：最高位电容接VREFN，其余的低位电容接VREFP，而电容的上极板接Vcm；
第二个状态Φ2：电容上极板和共模电压Vcm先断开，再将最高位电容接入参考电压VREFP，而其它所有低位的电容都接入VREFN。这样就可以获取最高位的失配误差电压：
Image 3.jpg

如果是温度码的DAC阵列，应该采用什么样的方法获取电容的失配误差电压呢？如下面Visio示意图所示。
Image 1.jpg

liuweihui1015 · 发表于 2018-3-7 18:03:11

补充描述：
   对于12bit SAR，高8位电容+低4位电阻，高6位电容用温度码阵列。对高6位进行校准，如果高6位电容是二进制排列方式，就可以用上述的方法：Φ1和Φ2状态切换，就可以得到待校准位电容的失配误差。
   如果高6电容是温度码排列方式，应如何获取每一位的电容失配误差？
   盼望大神给一些思路！

tideblue · 发表于 2018-3-8 11:42:30

其实就是在看高位电容跟低位电容比例嘛
跟是不是二进制有什么关系

quantus · 发表于 2018-3-8 15:57:26

楼上正解！比如MSB电容由2^7个单位电容组成，那么这个2^7个电容作为一个整体来和低7位电容做自校准。自校准实际上是无法校正LSB电容的，因为误差是在太小。可以建模来看一下最大可矫正的位数。我个人的经验来看，0.1%的mismatch只能矫正高四位电容。以上个人愚见，如有谬误，烦请指正！

liuweihui1015 · 发表于 2018-3-9 11:13:25

回复 3# tideblue
嗯嗯，最传统的校准方法就是用高位和其低位电容和之比，来实现校准。我这里的疑问是，对于温度码，高位和其低位电容和之比，在译码上如何实现？
或者温度码阵列的DAC校准方式还有其他办法？
温度码校准问题.jpg

liuweihui1015 · 发表于 2018-3-9 11:17:26

本帖最后由 liuweihui1015 于 2018-3-9 11:21 编辑

回复 4# quantus
嗯嗯，一般只对高位电容进行校准，低位电容偏差带来的线性影响小。
校准精度就是看采用的校准子DAC阵列的step。

tideblue · 发表于 2018-3-12 10:55:58

我感觉你这两个没有办法共存
高位用热码是为了INL?
你都已近校准了了，为什么还要用thermocode?

liuweihui1015 · 发表于 2018-3-12 19:31:52

回复 7# tideblue

是的，我存在着疑惑，如果我用二进制电容阵列+自校准，是否会满足我的规格<±2LSB；所以我在研究高位温度码阵列+低位二进制码阵列，能否进行校准。

zt_ic222 · 发表于 2023-5-30 21:51:25

quantus 发表于 2018-3-8 15:57
楼上正解！比如MSB电容由2^7个单位电容组成，那么这个2^7个电容作为一个整体来和低7位电容做自校准。自校准 ...

想问问大佬，自校准中LSB的失配没有校准，那这些失配在校准MSB时会不会造成MSB乘一些比例系数的失配，那这个系数该怎么计算，是否在算dnl时需要把lsb和msb的失配均考虑进来？

auch0311 · 发表于 2023-7-27 16:07:35

咋理解

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