IR drop Signoff 要求

liyong_ic

某IR drop Signoff要求：Static IR drop
3% for VDD + VSS （Flip chip）  为什么会更严？
5% for VDD + VSS（wire blond）
Dynamic IR drop
Around 5X in signoff constraint

为什么Flip chip的Signoff要求严格一点？
为什么Dynamic的要求是多达五倍，松这么多？

kanikanixjj

请问楼主现在清楚了吗？能否帮忙解释一下，对这个问题也是同样的疑惑。谢谢~~~

JasInShell

Wirebond封装是四周供电，理论上IR会更大，因此Signoff要求松一些，通常为5%
Flipchip为BUMP垂直供电，分布式供电，理论上IR会更小，因此要求更严格一些，通常为3%
至于Dynamic IR的要求为5倍，主要考虑的是瞬态转换过程，也就是decap的数量抑制di/dt的效应，瞬态能量能够被吸收，performance满足前端要求，万事大吉。因为强烈依赖于前端的Case，因此通常为15%~20%即可。