请教500V Jfet 过ESD的问题

ouyang00032 · 发表于 2017-12-14 19:03:25

本帖最后由 ouyang00032 于 2017-12-16 13:53 编辑

请教大家，关于500V Jfet串联HVNMOS到地的结构，从Jfet到gnd打ESD的问题;HVNMOS到地的通路过ESD没有问题；
而500V Jfet的面积仅0.1平方毫米，击穿电压高达500V，看起来这个面积想过ESD HBM 2kV比较困难。
请教大家有没有相关的经验，这样的结构如果想过2kV的话，或者过不了2kV，能过1.5kV或者1kV也是好的，有没有什么好的方法？

ouyang00032 · 发表于 2018-4-19 15:39:59

请教是否有相关经验的专业人士帮忙解答一下，非常感谢！！！！

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