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发表于 2021-7-28 21:11:02
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Dram 须电容早期还有分 trench , stack , 但是 挖沟渠当电容方式 好像後来被STACK 打败,
总之DRAM 须一个CAP 存电, 另须 refresh .
dram 以前POLY 电容 , 机台就 前段多
SRAM 就用 4T 6T ..SRAM 用MOS 跟一般 CMOS MOS 不太一样. 特别 Vth rds ..
SRAM 就一般 CMOS 方式 不会特别多前段
DRAM 代工场配置机台跟CMOS /SRAM /FLASH 不一样, 早期 曾碰过做代工DRAM 转来做CMOS
结果 YIELD 很差, DESIGN RULE 後来又拉宽 , 我们当时是白老鼠 FAB 找别人去投片, 找问题
embedded DRAM 则是CMOS 内做DRAM 没用过, 听到比较特别 , 不过一般 CMOS 都做 SRAM
另外 FLASH 虽然也相容CMOS (单片机) 但MOS 特性还跟标准 CMOS 有小差 .
不知道 有没人做过 FeRam MRAM ??
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