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[求助] 请问与CMOS工艺兼容是什么意思?

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发表于 2017-12-14 10:12:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大佬,小弟今天学习SRAM的部分,提到SRAM的优点之一是与CMOS工艺兼容,请问与CMOS工艺兼容是什么意思?
发表于 2017-12-16 09:00:56 | 显示全部楼层




    SRAM use cmos logic process .

DRAM 一般跟CMOS 不同  , 以前DRAM 价格差有代工 DRAM 转做 cmos logic ,  一开始 yield 都很滥..跟本不能用 .
embedded DRAM 比较特殊, 但不常见 . 多数电路都使用CMOS 方式做

还有 CCD 也是自己工艺

其他还有 BCD 则是包 cmos/ Dmos/ Bipolar , power IC  LDMOS .
nand flash 也跟CMOS 不同 , 但是 工艺兼容 .可是一般 MCU 因为带FLASH ,   其MOS VTH 跟一般CMOS 会差,
通常特性差些就是 VTH 或漏电 ..  但MCU 现在带 flash memory 是常态.
还有些EEPROM 其实也跟CMOS 不一样 .

另外 MEM 是特殊工艺  , 因为连工艺参数都须要客制化
但是有种CMOS 工艺兼容MEM , 可以在MEM 内做CMOS 电路.  所以目前很多都使用 CMOS MEM 工艺兼容 .
发表于 2021-7-22 15:36:52 | 显示全部楼层


peterlin2010 发表于 2017-12-16 09:00
SRAM use cmos logic process .

DRAM 一般跟CMOS 不同  , 以前DRAM 价格差有代工 DRAM 转做 cmos l ...


学识浅薄 属实没看懂
发表于 2021-7-28 21:11:02 | 显示全部楼层


狼警 发表于 2021-7-22 15:36
学识浅薄 属实没看懂



Dram 须电容早期还有分  trench  , stack , 但是 挖沟渠当电容方式 好像後来被STACK 打败,
  总之DRAM 须一个CAP   存电, 另须 refresh .
  dram 以前POLY 电容 ,  机台就 前段多  

SRAM  就用 4T  6T ..SRAM 用MOS 跟一般 CMOS MOS 不太一样. 特别  Vth rds ..
SRAM 就一般 CMOS 方式  不会特别多前段

DRAM 代工场配置机台跟CMOS  /SRAM   /FLASH  不一样, 早期 曾碰过做代工DRAM 转来做CMOS
   结果 YIELD 很差,  DESIGN  RULE 後来又拉宽 , 我们当时是白老鼠  FAB 找别人去投片, 找问题

embedded DRAM 则是CMOS 内做DRAM  没用过, 听到比较特别 , 不过一般 CMOS 都做 SRAM
  
另外 FLASH 虽然也相容CMOS (单片机)  但MOS  特性还跟标准 CMOS 有小差 .

不知道 有没人做过 FeRam  MRAM ??
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