|
发表于 2017-12-7 22:37:00
|
显示全部楼层
两个极端,一个最快,一个最慢。
hszgl 发表于 2017-12-7 22:01
corner 一般是考虑 wafer 上可能因为工艺产生差异 .类似还有加入高斯分布去
蒙地卡罗 . 一般设计会是 vcc x3 , temp x3 , corner x5 .
一个 case 最基本, OP amp , bandgap 就是跑 45次.
whole chip 一般不会跑如此多.花太多时间 . 而且 很多电路可能会发生 就是某corner 某温度某点 超过标准 , 这时RD 须要考虑该不该.
最差的要求就是 TT SS FF 都 跑过才算 .
FS SF 就不一定. 很多高压 40v model 60v model 可能跟本没有 FS 或是 SF
还有library 本身就有 lib_tt lib_ss lib_ff .
不会要你 bjt 跑 ss , mos 跑 ff .
会分别跑 mos bjt 电阻一般就是 蒙地卡罗 . 会跑分多次.
流片须要考虑 yield .不是 tt 过就算. 又不是学生写 paper .
paper 很多电路只是给你报告多好多优秀 . 但是实做流片
可能发现 跟本某日corner 会出问题 .
最遭还会发生 model 跟本跟流片出来不一样.
会不会? 当然会阿 .
Fab 使用 model 都 20/5 20/1 .
你做 100/1 跟 20/1 *5 实测有没差? 差很多.
以前做过 test key .高压 nmos Ids 会跟model 差 3~5% .
pmos pa 差 20~30% , 特别是 spice model 你去看可能 vgs 0-40
只有 0/40 fitting curve (特别调 model ) 反而中央 12~18v 不准.
很简单阿, 因为 model 不好做阿 . 光是 mos 20/1~10/10 可能都能fitting
好点会文件後提出 工程师 meas & sim . 但一般 vds 偏小都差异很大. |
|